h213 250

JJJ Т,К

Зона возможных положений зависимости статического коэффициента передачи тока от температуры.

h213

150 120 90 60 30

Зона возможных положений за. висимости статического коэффициента передачи тока от температуры.

КТ214А-1, КТ214Б-1, КТ214В-1, КТ214Г-1, КТ214Д-1, КТ214Е-1

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные р-п-р маломощные универсальные.

Предназначены для использования в ключевых и линейных гибридных схемах, микромодулях, узлах и блоках радиоэлектронной герметичной аппаратуры.

Бескорпусные, без кристаллодержателя, с гибкими выводами, с защитным покрытием. Обозначение типа приводится на возвратной таре.

Масса транзистора не более 0,01 г.

Электрические параметры

Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала:

при (/эб = 5 в, /э = 10 мА не менее:

КТ214А-1............... 20

КТ214Б-1................ 30-90

КТ214В-1................ 40-120

КТ214Г-1................ 40-120

при (/кб =1 в, /э = 40 мкА не менее:

КТ214Д-1............... 80

KT214E-I................ 40

пяжение насыщения коллектор-эмиттер при /к = !!\0 мА, /б = 1 мА КТ214Д-1, КТ214Е-1 пе более ... 0,6 В

и пряжение насыщения база-эмиттер при /«=10 мА, /g= 1 мА КТ214Д-1, КТ214Е-1 не более .... 1,2 В

ияпряжение насыщения эмиттер-коллектор при 1 = 1 мА,

I =0 КТ214Д-1, КТ214Е-1...........От 0,7

до 2,5 мВ

„ одное сопротивление в режиме малого сигнала при

[/ = 5 В, /э = 2 мА, f=m Гц.......От 1,2

до 10 кОм

типовое значение..............2,5* кОм

Емкость эмиттерного перехода при 1/эб = 0,5 В, /=

=, 500 кГц.................9,6-100 пФ

типовое значение..............9,8 * пФ

Емкость коллекторного перехода при [/кб =10 В, / =

= 500 кГц................9,5-50 пФ

типовое значение..............12* пФ

Обратный ток коллектор-эмнттер при Лбэ = О кОм, [/кэ = 30 В, Г = 358 К не более....... 1 мкА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер:

КТ214А-1, КТ214Б-1............ 80 В

КТ214В-1................ 60 В

КТ214Г-1................ 40 В

КТ214Д-1................ 30 В

КТ214Е-1................ 20 В

Постоянное напряжение эмиттер-база:

КТ214А-1................ 30 В

КТ214Б-1, КТ214В-1, КТ214Г-1, КТ214Д-1 .... 7 В

КТ214Е-1................ 20 В

Постоянный ток коллектора.......... 50 мА

Импульсный ток коллектора при т„ < Iо мс, Q>

> 100.................. 100 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:

при Г = 298 К.............. 50 мВт

при Г = 358 К............. 20 мВт

Температура перехода не более ........ 398 К

Тепловое сопротивление переход-кристалл..... 0,1 К/мВт

Температура окружающей среды........ От 233

до 358 К

Примечание. Допустимая температура монтажа транзисторов *тнбридные схемы не должна превышать 433 К в течение 30 с.

101 10° 1з,мА

Зависимость коэффициента шума от тока эмиттера.

КТ2ИД-1 -\--

J3 = 40mkA

Зависимость коэффициента шума от частоты.

"213

100 80 ВО 40

-1з = ЮмА

"213

228 273 318 Т,Н

Зависимость статического коэффициента передачи тока от температуры.

Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера.

ГТ402А, ГТ402Б, ГТ402В, ГТ402Г

Транзисторы германиевые сплавные р-п-р усилительные низкочастотные маломоиц1ые.

Предназначены для применения в выходных каскадах усилителей низкой частоты.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами в двух вариантах. Обозначение типа приводится на корпусе-

Масса транзистора: вариант 1 - не более 5 г, вариант 2-не более 2 г.