Значение бочьшинства параметров транзисторов зависит от рабочего режима и температуры, причем с увеличением температуры зависимость параметров от режима сказывается ботее сильно В справочнике, как правило, приводятся типовые (усредненные) зависимости параметров транзисторов от тока, напряжения, температуры частоты и т д Эти зависимости дотжны использоваться при выборе типа транзистора и ориентировочных расчетах схем, так как значения параметров транзисторов одного типа не одинаковы, а лежат в некотором интервале Этот интервал ограничивается миниматьным или максимальным значением, указанным в справочнике Некоторые параметры имеют двустороннее ограничение В ряде случаев в справочнике приводятся также и типовые (усредненные) значения параметров

При конструировании схем необходимо стремиться обеспечить их работоспособность в возможно более широких интервалах изменений важнейших параметров транзисторов

Разброс параметров транзисторов и их изменение во времени при конструировании схем могут быть учтены расчетными методами или экспериментально - методом граничных испытаний

В справочнике, как правило, не приводятся выходные характеристики биполярных транзисторов ввиду их однотипности и возможности построения по приводимым данным

На рис 21 показаны выходные характеристики биполярного транзистора с указанием областей работы дтя схем с обшей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ)

Характерные особенности областей, показанных на рис 2 2 применительно к токам и напряжениям дтя р-п-р транзистора, приведены в табт 2 1

Таблица 2 I Характерные особениости областей работы ирн вк-по-чении транзисторов типа р-п-р по схеме с ОБ и с ОЭ

отсечка а)

Область . "к отсечки б)

Рис 2 I Выходные характеристики биполярного транзистора и области работы при включении по схеме с ОБ (а) и по схеме с ОЭ (б)

Для п-р-п транзисторов знаки неравенства в столбцах табл 2 1 «Напряжение на коллекторе» и «Напряжение на эмиттере» должны быть заменены на обратные

При необходимости применения транзисторов для выполнения функций, отличающихся от их основного назначения, вывод о воз-

1/; = 1,5А

т-гэзк

Рис 2 2 Реальные выходные характеристики мощного германиевого транзистора и области максимальных режимов (заштрихованы)

можности их использования в этих режимах может быть сделан посте всестороннего обследования параметров транзисторов в этих режимах, проведения соответствующих испытаний и согласования „X применения в соответствии с ГОСТ 2 117-71

В аппаратуре транзистор может быть использован в широком диапазоне напряжений и токов Ограничением служат значения пре-детьно допустимых режимов, превышение которых в условиях эк-сптуатации не допускается независимо от длительности импульсов напряжения ити тока Даже кратковременное превышение предельно допустимых режимов может привести к пробою р-п перехода, сгоранию внутренних выводов и выходу прибора из строя Поэтому при применении транзисторов необходимо обеспечивать их защиту от мгновенных изменений токов и напряжений, возникающих при переходных процессах (моменты включения, выключения, изменения режимов работы и т д ), мгновенных изменениях питающих напряжений Не допускается также работа транзисторов в совмещенных предельных режимах (например, по напряжению и току)

Режимы работы транзисторов должны контролироваться с учетом возможных неблагоприятных сочетаний условий экстуатации аппаратуры При измерениях необходимо принимать во внимание колебания напряжений источников питания, значение и характер нагрузки на выходе блока, амплитуды, длительности выходных сигнааов, уровни внешних воздействующих факторов

Для повышения надежности транзисторов в эксплуатации следует выбирать рабочие режимы с коэффициентами нагрузки по напряжению и мощности в диапазоне 0,7 - 0,8 Однако следует учесть то, что применение транзисторов при малых рабочих токах приводит к снижению устойчивости их работы в диапазоне температур, нестабильности усиления во времени Использование более высокочастотных типов транзисторов в низкочастотных схемах нежелательно, так как они дороги, склонны к самовозбуждению и обладают меньшими эксплуатационными запасами

При применении мощных транзисторов необходимо обеспечивать правильный тетовой режим работы, чтобы температура корпуса транзисторов была минимальной и не превышала допустимую Превышение предельной температуры может привести к тепловому пробою р-п перехода Тепловой пробой возникает вследствие лавинообразного нарастания температуры р-п перехода Во избежание теплового пробоя необходимо улучшать отвод тепла от транзистора.

Правильный выбор теплового режима работы снижает интенсивность отказов транзисторов, а также обеспечивает стабильность выходных параметров аппаратуры

Обеспечение оптимального тентового режима работы транзисторов играет первостепенную роль при создании надежной аппаратуры.

Для учета зависимости параметров от температуры в справочнике приводятся температурный диапазон использования транзисторов, значения параметров и режимов при различных температурах и их температурные зависимости

В качестве теплоотвода для мощных транзисторов могут использоваться специально сконструированные радиаторы или конструктив-