Сопрогпвпение базы при (,,5 = 6 В, /э = I viA,/ = I МГц

не бозее................. 150 Ом

Выходная по зная проводимость в режиме мазого сигнала при холостом ходе при (,/кб = 6 В, /-ч=1 мА j = 1 кГц не бо - •

при Г = 293 К.............2 мкСм

прп Г = 213 К..............5 мкСм

Обратный ток коллектора при (/к:б=6 В не более

прн Г = 293 К............. 6 мкЛ

при Г = 343 К............. 50 мкЛ

Обралный лок эмилтера при 6эб = 6 В не более ................... 10 мкЛ

Емкость коллекторного перехода при (Укб = 6 В, У = 1 МГц не более............ 20 пф

Предельные Эксплуатационные данные

Напряжение коллектор-эмигтер коллектор-база . . 6 В

Обратное напряжение эмиттер база...... . 6 В

Ток коллектора.............. 5 мЛ

Ток эмиттера............... 5 мА

Постоянная рассеиваемая мощность при

Г = 213 - 343 К............. 30 мВт

Температура окружающей среды.......От 213 до 343 К

КТ501А, КТ501Б, КТ501В, КТ501Г, КТ501Д, КТ501Е, КТ501Ж, КТ501И, КТ501К, КТ501Л,

КТ501М

Транзисторы кремниевые эпнтаксиально-планарные р и-р \ciith тельные низкочастотные маломощные

Предназначены для применения в усилителях низкой частоты с нормированным коэффициентом щума, операционных и дпффереп циальных усилителях, преобразовалелях, импульсных схемах

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами Обозначение типа приводится на корпусе

Масса транзистора не более 0,6 г

13,5

База

Змиттер Коллектор

..„эффициент шума при 6 = 3 В = 0,2 мА, Лр =

ьО\1 /= 1 кГц не ботее...........4 дБ

тутовое значение................2* дБ

ц пря/кение насыщения коттектор-эмиттер не более

при /к = о 3 А, /б = о 06 А..........0 4В

при /к „ = О 5 А, /б = О 1 А..........0 7В

J, пря/кенне насыщения база-эмиттер при = 0,3 А,

/g = 0 06 А не ботее..............1,5 В

Статический коэффи1шент передачи тока в cxevie с общим эмиттером при ( кэ = 1 В, 4 = 30 мА

КТ501А КТ501Г, КТ501Ж, КТ501Л.......20-60

КТ501Б КТ501Д КТ501И, КТ501М........40-120

KTOIB, КТ501Е, КТ501К........... 80-240

при Скэ = В, 4 и = 0,5 А не менее..... 6

Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с обшим эмиттером при Uj =5 В 4=10 мА не

менее....................5 МГц

Емкость юттекторного перехода при [/«б = Ю В,

f= 500 кГц не более..............50 пФ

Емкость эмиттерного перехода при Сбэ = 0,5 В, /= 500 кГц

не более...................100 пФ

Обратный ток коллектора при [/кэл = кэл макс бэ = Ю кОм

не более...................1 мкА

Обратный ток эмиттера при [/бэ = бэ макс "е более .....................1 мкА

Предельные эксплуатациоииые данные

Постоянные напряжения коллектор-база и коллектор-эмиттер при Лбэ < 10 кОм Г = 298 - 398 К

KTS01\ КТ501Б, КТ501В...........15 В

КТ501Г КТ501Д, КТ501Е...........ЗОВ

КТэО!Ж КТ501И, КТ501К..........45 В

КТ501Л КТ501М..............60 В

Постоянное напряжение база-эмиттер при Г = 213 - 398 К (при Г= 298 - 398 К КТ<;01Ж, КТ501И, КТ501К, КТ501Л, КТ501М)

КТ501А КТ501Б, КТ501В, КТ501Г, КТ501Д,

КТ501Е..................10 В

КТ501Ж, КТ501И, КТ501К, КТ501Л, KT50IM .... 20 В Постоянный ток коллектора при Г= 213 - 398 К . . . . 0,3 А Импутьсный ток коллектора при Г = 213 - 398 К . . . . О 5 А

Постоянный ток базы при Г = 213 - 398 К......0,1 А

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при

7"= 213 - 308 К................0,35 Вт

Температура перехода.............. 423 К

Температура окружающей среды..........От 213 до

398 К

6* Г 63

Примечание При включении транзистора в цепь, нахо дящуюся под напряжением, базовый контакт присоединяется первым и отктючается последним

Расстояние от места изгиба до корпуса транзистора не менее 3 мм с радиусом закругзения 1,5-2 мм Пайка выводов допуе кается на р 1сстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора

0,6 0,5

% 0,2

213 253 293 333 373Т,К

22,5 20

17,5

12,5 10

213 233 253 273 293 Т,К

J го[кТ501А,КТ501Б,НТ501В--

10

213 гЗЗ 253 273 293 Т,К

Завнсимость максима зьно допустимой постоянной рассеиваемой мощности коллектора от температуры

Зависимости максимально допустимых напряжений коззек-тор-эмиттер и коллектор база от температуры

Зависимость максимально допустимого напряжения бага-эмиттер от температуры

КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д,

КТ502Е

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные р-п-р универсальные низкочастотные маломощные

Предназначены для работы в усилите зях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилите зях, преобразователях, импульсных схемах

Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами Обозначение типа приводится на этикетке Масса транзистора не более 0,3 г