Электрические параметры

Граничное напряжение при /э = 10 мЛ, < 40 мкс. Q Э= 100 не менее

КТ502\, КТ502Б...............25 В

КТ502В, КТ502Г...............40 В

КТ502Д..................60 В

КТ502Е..................80 В

Напряжение насыщения коттектор-эмиттер при /к = 10 мА,

/g = 1 мА не более...............0,6 В

типовое значение................0,15* В

Напряжение насыщения база-эмиттер при 4 = 10 мА,

/g = 1 мА не ботее..............1,2 В

типовое знасюние................0,8* В

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при [/э = 5 В, /э = 10 мА

KTS02A, КТ502В, КТ502Д, КТ502Е........40-120

КТ502Б, КТ502Г............... 80 - 240

Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при d/3 = 5 В, /э = 3 мА, /= 1 МГц

не менее...................5 МГц

Емкость котекторного перехода при [/«в = 5 В / = 465 кГц

не более...................20 пФ

Обратный ток коттектора при = t/gне более .....................1 мкА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение колтектор-база при Г = = 233 - 358 К

КТ502А, KTS02B............ 40 В

КТ502В, КТ502Г............ 60 В

КТ502Д............... 80 В

КТ502Е............... О В

Постоянное напряжение база-эмиттер при Г =

= 233 - 358 К............. 5 В

Постоянный ток коллектора при Г = 233 - 358 В 0,15 А Импульсный ток коллектора при т„ < 10 мс,

Q > 100, Г = 233 - 358 К.......... 0,35 А

Постоянный ток базы при Г= 233 - 358 В . . . 0,1 А Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при

= 233 - 298 К............. 0,35 Вт

Температура перехода.....

Температура окружающей среды

233 273 313 353 393Т,К

Завнсимость максимально допустимой постоянной рассеиваемой мощности коллектора от температуры.

...... 398 К

......От 233 до 358 к

Примечай и е. Пайку вы водов разрешается производить на расстоянии не менее 5 , от корпуса. При пайке жало паяльника должно быть зазем лено

Изгиб выводов допускается на расстоянии не менее 5 mvj от корпуса транзистора с ра. диусом закругления 1,5 - 2 мм при этом должны приниматься меры, исключающие передачу усилий на корпус. Изгиб в плоскости выводов не допускается

* 0,9 о

0,7 0.В

и, 6810 20 40Ii,mA Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора.

1 2 4 6810 20 401,,мА

Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от тока коллектора

"г 73 120

0,01 0,04 0,1 0,2 0,40,61 2 4 6 10 20 4060100200 600

1з,мА

Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера.

Pa 3 д е I четвертый

ТРАНЗИСТОРЫ МАЛОМОЩНЫЕ ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ

/г-р-п

2Т301Г, 2Т301Д, 2Т301Е, 2Т301Ж, КТ301Г, КТ301Д, КТ301Е, КТ301Ж

Транзисторы кремниевые танарные п-р-п универсальные высокочастотные маломощные

Предназначены для применения в усилительных и генераторных схемах радиоэлектронной аппаратуры

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами Обозначение типа приводится на корпусе.

Масса транзистора не более 0,5 г.

2s у

Электрические параметры

Максимальная частота генерации при 6кб = О В, /э = 3 мА

не менее...................60 МГц

Модуль коэффициента передачи тока при Ьэ = О В,

/э=3 мА, /"=20 МГц не менее......... 1,5

Постоянная времени цепи обратной связи при бв = 10 В,

/э = 2 мА. / = 2 МГц не более

2Т301Г, 2Т301Д, КТ301Г, КТ301Д........4,5 не

2Т301Е, 2Т301Ж, KT30IE. КТ301Ж.........2,0 не

Время рассасывания при = 10 мА, /g = 1 мА не

более

2Т301Г, 2Т301Д, КТ301Г, КТ301Д........5 мкс

2Т301Е, 2Т301Ж, КТ301Е. КТ301Ж.......8 мкс

Коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при = 10 в, /э = 3 мА-

2Т301Г, КТ301Г...............10-32

2Т301Д, КТ301Д...............20-60

2Т301Е, КТ301Е...............40-120

2Т301Ж, КТ301Ж............... 80- 300

Граничное напряжение при /д = 10 мА, т„ = 5 мкс не Менее

2Т301Г, 2Т301Д...............30 В