Напряжение насыщения база-эмиттер при /« = 20 мА, /g = 2 мА не ботее...............1,1 В

Емкость коллекторного перехода при иь = Ю В, /= 2 МГц не ботее...................5 пФ

Емкость эмиттерного перехода при Сэб = В, /= 2 МГц не ботее...................20 пФ

Обратный ток коттектора не более при Г = 298 К

2T3I2A, 2Т312Б, 2Т312В при [/кб= 30 В......1 мкА

КТ312А, КТ312В при 6кб = 20 В и КТ312Б при

СкБ = 35 В.................10 мкА

при Г = 398 К 2Т312А, 2Т312Б, 2Т312В при [/кб =

= 30 В...................10 мкА

Обратный ток эмиттера при [/эБ = 4 В не ботее .....................10 мкА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение колтектор-база

2Т312А, 2Т312Б, 2Т312В......... 30 В

KT3I2A, КТ312В............ 20 В

КТ312Б............... 35 В

Постоянное напряжение котлектор-эмиттер при ЛэБ < 100 Ом

2Т312А, 2Т312Б, 2Т312В......... 30 В

КТ312А, КТ312В........... 20 В

КТ312Б............... 35 В

Постоянное напряжение эмиттер-база...... 4 В

Постоянный ток коллектора......... 30 мА

Импульсный ток коллектора при т„ < 1 мкс,

Q > \0................ 60 мА

Постоянная рассеиваемая мощность

при Г< 298 К КТ312А, КТ312Б, КТ312В, при T<32>3 К 2Т312А, 2Т312Б, 2Т312В .... 225 мВт при Г= 358 К КТ312А, КТ312Б, KT3I2B . . . 75 мВт при 7"= 398 К 2T3I2A, 2Т312Б, 2T3I2B . . . 62,5 мВт

Импульсная рассеиваемая мощносль при т,, < 1 мкс, Q> \0

при Г < 333 К........... 450 мВт

при Г= 398 К 2Т312А, 2Т312Б, 2Т312В . . . 287,5 мВт

Температура пере\ода

KT3I2A, КТ312Б, КТ312В........ 388 К

2Т312А, 2Т312Б, 2T3I2B........ 423 К

Общее тепловое сопротивление........ 0,4 К/мВт

Температура окружающей среды

KT3I2A, КТ312Б, КТ312В........От 233 до 358 К

2T3I2A, 2Т312Б, 2Т312В.........От 213 до 398 К

Примечание Изгиб выводов разрешается на расстоянии не менее 3 мм от корпуса транзистора с радиусом закругления 1,5-2 мм

Разрешается производить пайку выводов на рассюянии не менее 5 мм от корпуса путем погружения не более чем на 5 с расплавленный припой с температурой не более 523 К

1,0 0,8 0,6 0,4

О, г

"213

100 80 60 40 20

0,2 0,4 0,6 0,8 1,0Oss,b Входные характеристики

О 5 10 15 20 25Ii,,MA Зависимость статического коф. фициента передачи тока от тока коллектора

293 313 333 353 373 393 т. к

Зависимость статического коэффициента передачи тока от температуры

"г1э\

О 3 6 9 12 15Ij,mA

Зависимость модуля коэффициента передачи тока от тока эмиттера

.1,0 0,8 %0,6

S 0,4 0,2

8 12 16 20Uns,b 1 10 10 10 10* rJOm

Зависимость емкости коллекторного перехода от напряжения колзектор-база

Зависимость относительного максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер

КТ314А-2

Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный п-р-п универ-сатьный высокочастотный маломощный

Предназначен для работы в усптительных и переключающих схемах герметизированной аппаратуры

Бескорпусный, с гибкими выводами и защитным покрытием, на кристалтолержатете Транзистор помещается в тару-етутник Обозначение типа приводится на основании тары-спутника У базового вывода ставится точка

Масса транзистора не более 0,1 г

Электрические параметры

Граничное напряжение при /э = 5 мА не менее ... 45 В Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при =

= 30 мА, /б = 6 мА не более......... 0,3 В

Статический коэффи1шент передачи тока в схеме с

общим эмиттером при [/«э =5 В, /э = 0,25 мА

при Г = 298 К..............30-120

при Г = 398 К.............. 30 - 300

при Г= 213 К..............15-120

Модуть коэффициента передачи тока при = Ю В,

/к = 10 мА, /= 100 МГц не менее....... 3

Постоянная времени цепи обратной связи при [/б = 5 В,

4=10 мА, /=30 МГц не более.......80 нс

Емкость эмиттерного перехода при (Убэ = 0 .... 8* -20* пФ

типовое значение.............. 15* пФ

Емкость коллекторного перехода при С/кб=5 В не

ботее.................. 10 пФ

Время включения при = 10 мА, 4= I мА .... 35* -45* не

типовое значение.............. 40* не

Время рассасывания при 4 = 30 мА, 4 = 3 мА не

более.................. 300 НС

Время выключения при 4 = Ю мА, 4 = мА .... 80* - 120* не

типовое значение.............. 100* не

Обратный ток коллектора при [б = 55 В не более

при Г= 298 К и Г= 213 К......... 0,075 мкА

при Г = 398 К.............. 1,5 мкА