50 В 55 В 4 В

65 В 60 мА

70 мА

0,5 Вт 0,1 Вт 423 К

0,95 0,9

h,85

10 W 10 10 WRbsOm

Зависимость относительного максимально допустимого напряжения коллектор-эмнттер от сопротивления база-эмиттер

V 0,8 0,7 0,8 0,90,3,3 Входные характеристики.

213 253 293 333 373Т,К

Зависимость обратного тока коллектора от температуры

"213 90

60 50

о 1

41,,мА

Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора.

Постоянное напряжение коллектор-эмнттер при Лбэ = 10 кОм.............

Постоянное напряжение коллектор-база ....

Постоянное напряжение база-эмиттер.....

Импульсные напряжения коллектор-база и коллектор-эмнттер при Лбэ = 1 кОм, Тц < 100 мкс, Q> 2...........

Постоянный ток коллектора.........

Импульсный ток коллектора при Тц < 100 мкс, Q>2................

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора.

при Г =213- 298 К.........

при Г = 398 К...........

Температура перехода..........

Температура окружающей среды......От 213 до 398 К

Тепловое сопротивление переход-корпус .... 0,25 К/мВт

Примечание Минимальное расстояние от места пайки выводов до

поверхности трачзистора 3 мм Изгиб выводов допускается на расстоянии не

менее 0,5 мм от места выхода вывода из защитного покрытия

Т°\ I тз1А-г\ 1

60 10

о го 40 60 801к,мА

Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора

,0,9

0,7 0,6

О 20 40 60 801ц,мА

Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от тока коллектора

гь 5

213 253 293 333 373Т,К

Зависимость модуля коэффициента передачи тока от температуры.

Зависимость времени рассасывания от тока коллектора

500 400 g 300

t200

213 253 293 333 373Т,К

Зависимость времени рассасывания от температуры.

225 200 175

d 150 а.

125 100

10 20 30 40 501,мА

КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е, КТ315Ж, КТ315И

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п усилительные высокочастотные маломощные.

Г 75

0,85

1,5 "Коллектор

Предназначены для работы в схемах усилителей высокой, промежуточной и низкой частоты

Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами Обозначение типа приводится на этикетке

Масса транзистора не более 0,18 г

Электрические параметры

Граничное напряжение при /э = 5 мА не менее

КТЗ 15А, КТ315Б, КТ315Ж...........15 В

KT3I5B, КТ315Д, КТ315И...........30 В

КТ315Г, КТ315Ь...............25 В

Напряжение насыщения коззектор-эмиттер при = 20 мА, /б = 2 мА не более

КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г........0,4 В

КТ315Д, KT3I5E...............IB

КТ315Ж..................0,5 Е

Напряжение насыщения база-эмиттер при = 20 мА, /б = 2 мА не более

КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г.......1,1 В

КТ315Д, КТ315Е...............1,5 В

КТ315Ж..................0,9 В

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при (/«э = 10 В, = 1 мА

КТЗ 15А, КТЗ 15В, КТЗ 15Д............20-90

КТ315Б, КТ315Г, КТ315Е........... 50 - 350

КТ315Ж.................. 30 - 250

КТ315И не менее.............. 30

Чостоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте при [/кБ = 10 В, /э = 5 мА не более

КТ315А.................. 300 НС

КТ315Б, КТЗ 15В, КТ315Г........... 500 не

КТ315Д, КТ315Е, КТ315Ж...........1000 не

У1одузькоэффициента неоедачн i ока при (/э = Ю В, /к;= 1 мА, / = 100 МГц не менее

КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е,

КТ315И..................2,5

КТ315Ж.................. 1,5

емкость коллекторного перехода при бюв = Ю В не более

КТ315А, КТ315Б, КТЗ 15В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е,

КТ315И..................7 пФ

КТ315Ж..................10 пФ

$ходное сопротивление при [/«3=10 В, /к = 1 мА не менее....................40 Ом