выходная проводимость при С/кз=10 В, /к = 1 мА

нс ботее...................0.3 мкСм

Обратный ток коллектора при [/кб = Ю В не более .....................1 мкА

Обратный ток коллектор-эмиттер при Лбэ = О кОм, [/кэ = = Окэ м.кс не более

КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е. . 1 мкА

КТ315Ж..................10 мкА

КТ315И..................100 мкА

Обратный гок эмитгера при (jb) = В не бо lee

КТ315А, КТ315Б, КТЗ 15В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е,

КТ315Ж..................30 мкА

КТ315И..................50 мкА

Предельные эксплуатациоииые данные

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Льэ = iO кОм

КТ315А............... 25 В

КТ315Б............... 20 В

КТЗ 15В, КТЗ 15Д............ 40 В

КТ315Г, КТ315Е............ 35 В

КТ315Ж............... 15 В

КТ315И............... 60 В

Постоянное напряжение база-эмиттер..... 6 В

Постоянный ток ко 1 iCKTOpa

КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д,

КТ315Е............... 100 мА

КТ315Ж, КТ315И........... 50 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Г= 213 - 298 К KT3I5A, КТ315Б, KT3I5B, КТ315Г, КТ315Д,

КТ315Е............... 150 мВт

КТ315Ж, КТ315И........... 100 мВт

Температура перехода........... 393 К

Температура окружающей среды.......От 213 до 373 К

Примечания 1 Постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт, при Г = 298 - 373 К определяется по формуле

к макс = (393 - 7/0,67

Допускаеюя эксп1>атация транзисторов в режиме Рк = 250 мВт при СкБ = 12,5 В, /к = 20 мА

2 Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 2 мм от корпуса транзистора

При включении транзистора в схему, находящуюся под напряжением, базовый вывод должен подсоединяться первым и отсоединяться последним

Не рекомендуется работа транзисторов при рабочих токах. Соизмеримых с неуправляемыми обратными токами во всем интервале температур

100YUkb\10B

80 60

-1-1-1-

ки15Б;ктз15г,

:iKT315E-

KT315A,

KT315B, КТ315Д

0 20 to 60 801э,мА

Зависимость статического коэл фициента передачи тока от токт эмиттера

Зависимость напряжения насы щения коллектор-эмиттер от тока коллектора

Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от тока базы

2 0,1 0,05

0,9 0,8

20 40 60 801,,мА

0,6 0,5

0 2 4 6 8Is,ma

2Т317А-1, 2Т317Б-1, 2Т317В-1, КТ317А-1, КТ317Б-1, КТ317В-1

Транзисторы кремниевые эпитаксиазьно-планарные п-р-п универсальные высокочастотные маломощные

Предназначены для работы в схемах усилителей высокой и

низкой частоты, в переключающих и импузьсных схемах герметизированной аппаратуры

Бескорпусные, с гибкими выводами, с защитным покрытием Транзисторы помещаются в возвратную тару, позволяющую без извлечения из нее транзисторов производить измерение электрических параметров Обозначение типа и маркировочная точка козлектора приводятся на крышке возвратной тары

Масса транзистора не более 0,01 г

Яапряжение насыщения коллектор-эмнттер при /к = 10 мА, / = 1,7 мА 2Т317А-1, КТ317А-1, при /б = 1 мА 2Т317Б-1, КТ317Б-1, при /б = 0,7 мА 2Т317В-1, KT317B-I не более .....................0,3 В

идпряжение насыщения база-эмиттер при /к = Ю мА, / = 1 мА 2Т317А-1, KT317A-I, при /б = 0,6 мА 2Т317Б-1, КТ317Б-1, при 4 = 0,4 мА 2Т317В-1, КТ317В-1 не более .....................0,85 В

Статический коэффициент передачи в схеме с общим эмиттером при [/кэ =1 В, /э = 1 мА при Г = 298 К

2Т317А-1, KT3I7A-I..............25-75

2Т317Б-1, КТ317Б-1..............35-120

2Т317В-1, КТ317В-1 .............. 80 - 250

при Г= 358 К

2T3i7A 1 KT3I7A-1........ От 25 до 3 значений

при Г= 298 К

ТЗПБ I КТ317Б-1.........От 35 до 3 значений

при 7- = 298 К

2Т317В 1 КТ317В-1.........От 80 до 3 значений

при Г = 298 К

при Г= 213 К

2Т317А-1, КТ317А-1..............9-75

2Т317Б-1, КТ317Б-1..............15-120

2Т317В-1, KT3I7B-1 ..............25 - 250

Мод\ть коэффициента передачи тока при [/кэ=1 В, 4 = 3 мА, / = 20 МГц не менее........ 5

Время рассасывания при [3= В, 4 = 3 мА, 4i = = 4:= 1 мА не ботее............. 130 не

Емкость коллекторного перехода при 6кб=1 В не ботее................... 11 пФ

Емкость эмиттерного перехода при Uj=l В не ботее................... 22 пФ

Обратный ток коллектора при [кб = 5 В не более

при Г=298 К и Г=213 К......... 1 мкА

при Г= 358 К...............10 мкА

Обратный ток коллектор-эмиттер при [/3 = 5 В, Лбэ= 3 кОм не более............3 мкА

Обратный ток эмиттера при 6бэ = 3,5 В не более 10 мкА

Постоянное напряжение эмиттер-база при [кэ = 2 5 В 4 = 0 05 мА не менее............. 0,5 В

Постоянный ток базы при [/бэ = 0,8 В, Rb3 =

= 600 Ом.................От 130 до

460 мкА