О 0.2 О.Ч О.В 0.8 1U,

Входные характеристики

о 20 40 60 80 f, МГц Зависимость модуля коэффициента передачи тока oi частоты

213 200

12 16 Ц,»А

4 8

Зависимость сгагического коэффициента передачи тока от тока эмиттера

0,10

213 253 293 333 373 Т,К Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от температуры

Г 80

Постоянные напряжения коп лектор-база, коллектор-эмиттер при = 3 кОм........... 5 В

Постоянное напряжение эмиттер-база....... 3,5 В

Постоянный ток коллектора.......... 15

Импу 1ьсньш ток коззектора при т„ < 10 мкс,

е > 10. т, < 100 пс.............45 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора

при Г= 213 - 313 К...........15 мВт

при Г = 358 К..............3,75 мВт

Импульсная рассеиваемая мощность коллектора при

т„ =£ 10 мкс, Q> W тф < 100 пс Г= 298 К . . . . ЮО мВт

Тепловое сопротивление переход-среда.......4 К/м В г

Температура перехода............. 373 К

Температура окружающей среды...... От 213 до 358 К

Примечание Не рекомендуется работа транзистора при рабочих токах, соизмеримых с неуправляемыми токами во всем диапазоне температур окружающей среды

При пайке выводов должны быть приняты меры, исключающие возможность нагрева кристалла и смолы до температуры более 373 К.

2 7317 ~KT317\

-Ik = 10mA Js = 0,tMA

213 253 293 333 373 T,K

Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от температуры

213 253 293 333 373 Т,К

Зависимость статического коэффициента передачи тока от температуры

2ТЗЗЗА-3, 2ТЗЗЗБ-3, 2ТЗЗЗВ-3, 2ТЗЗЗВ1-3, 2ТЗЗЗГ-3, 2ТЗЗЗД-3, 2ТЗЗЗЕ-3, КТЗЗЗА-3, КТЗЗЗБ-3, КТЗЗЗВ-3, КТЗЗЗГ-3, КТЗЗЗД-3, КТЗЗЗЕ-3

Транзисторы кремниевые танарные п-р-п универсальные высокочастотные маломощные

Предназначены для применения в импульсных, переключательных и усилительных схемах герметизированной аппаратуры

Бескорпусные, с твердыми выводами, с защитным покрытием. Обозначение типа приводится на этикетке групповой тары

Масса транзистора не более 0,01 г Комекгпор

0,7 0,3

4 контакта ф0,18

Коллектор

Элек грические параметры

Напряжение отпирания при /j = 0,05 мА не менее

2ТЗЗЗА-3, 2ТЗЗЗБ-3, 2ТЗЗЗВ-3, 2T333BI-3, КТЗЗЗА-3,

КТЗЗЗБ-3, КТЗЗЗ-3

при Г = 298 К.............0,57 В

при Г = 358 К............. 0,3 В

2ТЗЗЗГ-3, 2ТЗЗЗД-3, 2ТЗЗЗЕ-3, КТЗЗЗГ-3, КТЗЗЗД-3,

КТЗЗЗЕ-3

при г = 298 к.............0,55 В

при Г = 358 К.............0,37 В

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при /к= 10 мА, /б = I мА не более:

2ТЗЗЗА-3, 2ТЗЗЗБ-3, 2ТЗЗЗВ-3, 2ТЗЗЗВ1-3, КТЗЗЗА-3, КТЗЗЗБ-3, КТЗЗЗВ-3:

при Г = 298 К............. 0,27 В

при Г = 358 К............. 0,3 В

2ТЗЗЗГ-3, 2ТЗЗЗД-3, 2ТЗЗЗЕ-3, КТЗЗЗГ-3, КТЗЗЗД-3, КТЗЗЗЕ-3:

при Г = 298 К............. 0,33 В

при Г = 358 К............. 0,37 В

Напряжение насыщения база-эмиттер при /к=10 мА, /б = 1 мА не более:

2ТЗЗЗА-3, 2ТЗЗЗБ-3, 2ТЗЗЗВ-3, 2ТЗЗЗВ1-3, КТЗЗЗА-3, КТЗЗЗБ-3, КТЗЗЗВ-3:

при Г = 298 К............. 0,9 В

при Г = 213 К............. 1,05 В

2ТЗЗЗГ-3, 2ТЗЗЗД-3, 2ТЗЗЗЕ-3, КТЗЗЗГ-3, КТЗЗЗД-3, КТЗЗЗЕ-3:

при Г = 298 К............. 1,0 В

при Г= 213 К.............1,15 В

Время рассасывания при Ек = - В, /к= Ю мА, /б = 1 мА не более:

2ТЗЗЗА-3, 2ТЗЗЗБ-3, 2ТЗЗЗВ-3, КТЗЗЗА-3, КТЗЗЗБ-3,

КТЗЗЗВ-3................ 15 нс

2ТЗЗЗГ-3, 2ТЗЗЗД-3, 2ТЗЗЗЕ-3, КТЗЗЗГ-3, КТЗЗЗД-3,

КТЗЗЗЕ-3................ 25 нс

2T333BI-3................ 10 нс

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при (/кэ = В, /э = 10 мА:

2ТЗЗЗА-3, 2ТЗЗЗГ-3, КТЗЗЗА-3, КТЗЗЗГ-3:

при Г= 298 К.............30-90

при Г= 213 К............. 15-90

при Г = 358 К.............30-180

2ТЗЗЗБ-3, 2ТЗЗЗД-3, КТЗЗЗБ-3, КТЗЗЗД-3:

при Г = 298 К.............50-150

при Г= 213 К.............26-150

при Г= 358 К............. 50-350

2ТЗЗЗВ-3, 2ТЗЗЗВ1-3, 2ТЗЗЗЕ-3, КТЗЗЗВ-3, КТЗЗЗЕ-3:

при Г = 298 К............. 70-280

при Г= 213 К............. 33-280

при Г = 358 К............. 70-560