Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при [/o = 2 В, /э = 5 мА не менее

2ТЗЗЗА-3. 2ТЗЗЗБ-3, 2ТЗЗЗВ-3, 2ТЗЗЗВ1-3, КТЗЗЗА-3,

КТЗЗЗБ-3, КТЗЗЗВ-3 ............ 450 МГц

2ТЗЗЗГ-3. 2ТЗЗЗД-3, 2Т133Е-3, КТЗЗЗГ-3, КТЗЗЗД-3, КТЗЗЗЕ-3 ................ 350 МГц

Емкость коллекторного перехода при [к-б = 5 В не ботее

2ТЗЗЗА-3. 2ТЗЗЗБ-3. 2ТЗЗЗВ-3, 2ТЗЗЗВ1-3. КТЗЗЗА-3,

КТЗЗЗБ-3. КТЗЗЗВ-3............ 3,5 пФ

2ТЗЗЗГ-3, 2ТЗЗЗД-Е, 2ТЗЗЗЕ-3, КТЗЗЗГ-3, КТЗЗЗД-3,

КТЗЗЗЕ-3................ 4,5 пФ

Емкость эмиттерного перехода при 6эб = 0 не ботее

2ТЗЗЗ.\-3, 2ТЗЗЗБ-3. 2ТЗЗЗВ-3, 2ТЗЗЗВ1-3. КТЗЗЗА-3,

КТЗЗЗБ-3. КТЗЗЗВ-3............ 4 пФ

2ТЗЗЗГ-3, 2ТЗЗЗД-3, 2ТЗЗЗЕ-3, КТЗЗЗГ-3, ЗТЗЗЗД-3, КТЗЗЗЕ-3................ 5 пФ

Обратный ток коллектора при [/кб = Ю В не более

при Г = 298 К..............0,4 мкА

при 7"= 358 К.............. 5 мкА

Обратный ток эмиттера при [/эб = 4 В не более

при Г = 298 К.............. 1 мкА

при Г = 358 К..............5 мкА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор-база....... 10 В

Постоянное напряжение копектор-эмиттер при Лбэ

< 3 кОм................. 10 В

Постоянное напряжение э\ц1ттер-база........ 3,5 В

Постоянный ток коттектора........... 20 мА

И\ш> ibCHbui ток копектора при т,, < 10 мкс. >0, Тф< 100 НС.............. 45 мА

Постоянная рассеиваемая мощность:

при Г < 328 К............... 15 мВт

прп Г = 358 К............... 5 мВт

Температура перехода............. 373 К

Общее тепловое сопротивтение..........3 К/мВт

Температура окружающей среды.........От 213 до

358 К

Примечания I Допускается большее значение мощности рассеивания транзистора прн условии, что температура перехода не превышает 373 К

2 В процессе монтажа допускается нагрев транзистора до температуры не более 573 К в течение 30 мин, не бозее 423 к в течение 1.5 ч

0,3 0,25 0,2

0,15 0,1 0,05

П 0,6

1? 0,2

0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,90э,В Входные характеристики

0 2 4 6 8 101э,мА

Зависимость относительного статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера

1,0 0.7

*1 0,9 а

io,8

213 243 273 303 333 363 7,К

213 243 273 303 333 363 7,К

?ависимость относите зьного на-зряжения насыщения козлектор-эмиттер от температуры

Зависимость напряжения насы-шения база-эмиттер от температуры

2Т336А, 2Т336Б, 2Т336В, 2Т336Г, 2Т336Д, 2Т336Е, КТ336А, КТ336Б, КТ336В, КТ336Г, КТ336Д, КТ336Е

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п переклю-чатетьные высокочастотные маломощные.

Предназначены для работы в переключательных и импульсных схемах герметизированной аппаратуры

Бескорпусные, с твердыми выводами, без кристаллодержателя Обозначение типа приводится на групповой таре Транзисторы помещаются в специальную герметичную тару, в которую помещается влагопоглотитель, обеспечивающий относительную влажность вн\ три тары не более 65 "/„. а затем укладываются в групповую тару

Масса транзистора не более 0,0005 г.

база

ИоллБнтор

Коллектор

Змиттер

Электрические параметры

= 10 мА, /б= 1 мА не более......... 0,3 В

Напряжение насыщения база-эмиттер при = 10 мА,

/б = I мА не более.............. 0,9 В

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим

эмиттером при [/o = 1 в, 4 = 10 мА. при Г= 298 К.

2Т336А. 2Т336Г, КТ336А, КТ336Г...... 20-60

2Т336Б. 2Т336Д, КТ336Б, КТ336Д......40-120

2Т336В, 2Т336Е, KT336B, КТ336Е не менее .... 80

при Т= 358 К-

2Т336А, 2Т336Г. КТ336А, КТ336Г.......20-120

2Т336Б, 2Т336Д, КТ336Б. КТ336Д...... 40-240

2Т336В, 2Т336Е, КТ336В, КТ336Е не менее .... 80

при Г =213 К (при Г =218 К КТ336А, КТ336Б,

КТ336В, КТ336Г, КТ336Д, КТ336Е)

2Т336А, 2Т336Г, КТ336А, КТ336Г....... 8-60

2Т336Б. 2Т336Д, КТ336Б, КТ336Д.......16-120

2Т336В. 2Т336Е, КТ336В, КТ336Е не менее .... 32 отуль коэффициента передачи тока при [/э = 2 В. J = 5 мА. / = 100 МГц не менее

2Т336А. 2Т336Б, 2Т336В. КТ336А, КТ336Б,

КТ336В................ 2.5

2Т336Г. 2Т336Д, 2Т336Е. КТ336Г. КТ336Д, КТ336Е................ 4,5