земя рассасывания при /« = 10 мА, Ii = = /б2 = 1 мА не более

2Т336А, 2Т336Б, КТ336А, КТ336Б..... 30 не

2Т336В, КТ336В........... 50 нс

2Т336Г, 2Т336Д 2Т336Е, КТ336Г КТ336Д,

КТ336Е............... 15 нс

икость коллектора при (/б = 5 В не ботее . . . 5 пФ

лкость эмиттера при Сбэ = 0 не ботее .... 4 пФ

апряжение отпирания при из = В, /э =

= О 05 мА не более.......... 0,55 В

эратный ток копектора прп [кб= О В не более

при Г= 298 К и Г=213 К (Г =218 К КТ336) 0,5 мкА

при Г = 358 К............ 10 мкА

эратный ток эмиттера при (/бэ = 4 В не более . . 1 мкА

Предельные эксплуатационные данные

остоянные напряжения коллектор-эмиттер при Лбэ < 3 кОм и коллектор база при Г = 213 - 358 К

(при Г= 218 - 358 К КТ336).......

остоянное напряжение база-эмиттер при Г = = 213 - 358 К (при 7"= 218 - 358 К КТ336). . . остоянный ток коллектора при Г= 213 - 358 К

(при Г = 218 - 358 К КТ336).......

мпульсный ток коллектора при т„<10 мс, Q> 10 Хф> ЮОмкс, Г=213-358 К(Г=218-358 К

КТ336)...............

остоянная рассеиваемая мощность

при Г= 213 - 328 К (при Г= 218 - 358 К

КТ336)...............

при г = 358 к............

:мпература перехода ...........

;пловое сопротивзение переход-среда.....

;мпература окружающей среды......От

10 В

20 мА

50 мА

50 мВт 20 мВт 378 К 1 К/мВт 213 (218

КТ336) до 358 К

Примечание Для устранения влияния статического электриче-ва на транзистор рекомендуется работать только с заземленным энтажным измеритезьным, испытательным оборудованием и при-особлениями а также применять только антистатическую одежду 1я операторов

Не рекомендуется эксплуатация транзисторов при рабочих токах, измеримых с обратными неуправляемыми токами во всем диапазоне мператур

Монтаж транзисторов следует производить в инертной среде в чение не более 1 с при давлении на транзистор не более I г, при этом температура кристалла не должна превышать 523 К

1,05

! %0,95

j0,85

tt 8 12 1S1k,mA

Зависимость относительного статического коэффициента передачи тока от тока коллектора.

< 1.2 -KTJ3S-

II 7

0,8

е 0,6

гтш.

1к = 10мА

21Z 253 295 335 375Т,К

Зависимость относительного статического коэффициента передачи тока от температуры.

213 253 295 335 573Т,К

0,9 щ 0,8 0,7 0.6

10 Rs3,k0m

Зависимости напряжений насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер от температуры.

Зависимость относительного напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер.

Зависимость относительного отпирающего напряжения база-эмиттер от температуры.

t 1,0

h,9 0,8 i 0,7

213 253 293 333 573Т,К

КТ339А

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п усилительные высокочастотные маломощные.

Предназначены для работы в схемах усиления высокой частоты.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе.

Масса транзистора не более 0,4 г.

13,S

-C2.

Коллек mop ВыВод корпуса.

Виза.

Электрические параметры

."оэффициент усиления по мощности при бэ = .6 В,

/к = 7,2 мА, /=35 МГц не менее.........24 дБ

татический коэффициент передачи тока в схеме с общим

эмиттером при (/кб = о В, /э = 7 мА не менее .... 25 1одуль коэффициента передачи тока на /=100 МГц при

С/кБ = 10 В, /э = 5 мА не менее.......... 3

1остоянная временн цепи обратной связи на f = 5 МГц

при =10 В, /э = 7 мА не более........25 не

мкость колзекторного перехода при Окь = 5 В не

более................... 2 пф

Предельные эксплуатационные данные

(остоянное напряжение коллектор-база...... 40 В

1остоянное напряжение коллектор-эмиттер..... 25 В

1остоянное напряжение эмиттер-база....... 4 В

10ст0янный ток коллектора.......... 25 мА

(остоянная рассеиваемая мощность коллектора при

Г = 213 - 323 К............... 260 мВт

емпература перехода............. 448 К

емпература окружающей среды......... От 213 до

433 К

250 \ 200

273 313 353 393 ЧЗЗТ,К

ависимость максимально до-устимой мощности рассеива-ия коллектора от температуры

Примечание При включении транзистора в цепь, находящуюся под напряжением, базовый контакт должен присоединяться первым и отсоединяться последним

Расстояние от места изгиба до корпуса транзистора не менее 3 мм, радиус закругления не менее 1,5 - 2 мм

Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора