ные элементы узлов и блоков. При этом должна предусматриваты;я специальная обработка мест крепления транзисторов.

Крепление транзисторов к радиаторам должно обеспечивать их надежный тепловой контакт. Особое внимание следует уделить обеспе-ченню надежного теплового контакта при введении между корпусом транзистора и радиатором изолирующих прокладок. Для уменьшения общего теплового сопротивления лучше изолировать радиатор от корпуса аппаратуры, чем транзистор от радиатора.

При применении заливки плат компаундами следует учитывать возможное ухудшение теплообмена между транзисторами и окружающей средой.

Заливку плат допускается производить компаундами, не оказывающими отрицательного химического и механического влияния на транзисторы.

Особенностью применения мощных биполярных транзисторов является работа этих приборов в режимах, близких к предельным по температуре перехода. Для обеспечения надежной работы аппаратуры режимы использования мощных транзисторов должиы выбираться таким образом, чтобы ток и напряжение не выходили за пределы области максимальных режимов. На рнс. 2.3 приведен типичный вид области максимальных режимов мощного биполярного транзистора. Сплошными линиями ограничена область статического режима работы транзистора, а пунктирными - импульсного. Область максимальных режимов ограничена следующими факторами:

максимально допустимым током коллектора (постоянным и импульсным) - область /;

максимально допустимой мощностью рассеивания (постоянной и импульсной) - область II;

вторичным пробоем - область

граничным напряжением вольт-амперной характеристики при заданных условиях на входе - область IV;

максимально допустимым обратным напряжением коллектор-эмиттер (постоянным и импульсным) - область V.

Нимикс

К.макс hi

Р„Вг

КЗмакс

Ш.макс

Рис. 2.3. Область максимальных режимов мощного биполярного транзистора.

Рис. 2.4. Зависимость постоянной рассеиваемой мощности от температуры корпуса.

"КЗ

Рис 2 5 Области максимальных реясимов при различных температурах корпуса

ас"

Рис 2 6 Зависимость теплового сопротивления от длительности импульса

Область максимальных режимов в справочнике приводится, как правило, при температуре корпуса Г,, при которой обеспечивается максимальная мощность рассеивания При увеличении температуры корпуса выше Т,) мощность рассеивания определяется с помощью графиков (рис 2 4), а при их отсутствии рассчитывается по формуле

Рмакс = (Тп - ТкУЯг „ к,

где Гп - температура перехода, - температура корпуса (например, Гй, Г,з и т п), Яг п J - тепловое сопротивление переход-корпус

При работе транзистора при температуре корпуса Ti или область и (см рис 2 3) перемещается, что соответствует уменьшению мощности рассеивания, определенной графическим путем или расс»ш-танной по формуле (рис 2 5)

При повышении температуры корпуса происходит изменение положения и области V Значение предельно допустимого обратного напряжения колтектор-эмиттер (постоянного или импульсного) при росте температуры уменьшается (рис 2 5) Эта зависимость снимается экспериментально

При переходе от статического режима к импульсному и при уменьшении длительности импульса границы области максимальных режимов перемещаются в сторону больших значений тока и напряжения

Максимально допустимая мощность рассеивания в импульсном режиме связана с максимальной рассеиваемой мощностью соотношением

макс = РыгжеТп к/Г н п к.

•"де Кги ПК - импульсное тепловое сопротивление переход-корпус, являющееся функцией длитетьности импульса и скважности (рис 2 6) Чем меньше длительность импульса и больше скважность, тем больше импульсная мощность рассеивания, вызывающая разогрев перехода до максимально допустимой температуры Области максимальных режимов II и т при этом перемещаются вправо, в область

больших значений токов и напряжений Эти границы определяются экспериментально

Тепловое сопротивление переход-корпус зависит от конструкции транзистора и может быть определено из области максимальных ре-жимов Например, для режима 1к\ (см рис 2 3) тетовое

сопротивление, КВт,

Лг„-к = (7"п - Г,)/[/кЭ1/к1

Импульсное тепловое сопротивление переход-корпус связано с тепловым сопротивлением в статическом режиме соотношением

Ги п к = (КЭ1К1/КЭ1К h)7 п к

Все мошные биполярные транзисторы СВЧ диапазона предназначены для работы в режимах с отсечкой коллекторного тока Допустимые электрические режимы на постоянном токе (по напряжению и мощности рассеивания), как правило, существенно отличаются от динамических режимов работы

В динамических режимах среднее напряжение эмиттер-база должно быть запирающим

Приведенные в справочнике параметры мощных СВЧ транзисторов позволяют пользоваться типовой эквивалентной схемой для оценки их эксплуатационных характеристик

Эквивалентная схема транзистора в активном режиме показана на рис 2 7 В ряде случаев параметры некоторых элементов, изображенных на схеме, в справочных данных отсутствуют Это значит, что эквивалентная схема должна быть соответствующим образом упрощена Например, если не приводится эквивалентное

=4= С,

и к

Корпус

Рис 2 7 Эквивалентная схема мощного СВЧ транзистора в активном

режиме

Ск( - активная емкость коллектора. Сз - пассивная емкость колпектора, Сз - емкость коллектор-эмиттер, Сэ - емкость эмиттера С,, С„ - емкости выводов относительно корпуса, ~ индуктивности выводов эмиттера, базы, коллектора соответственно, rg - сопротивтение базы. /?з - последовательное сопротивление в цепи эмиттера, гК" эквивалентное сопротивление коллектора, - сопротивтение эмиттерного перехода