[остоянное напряжение эмиттер-база........ 4 В

[остоянный ток коллектора........... 30 мА

[мпульсный ток коллектора..........60 мА

[остоянная рассеиваемая мощность........100 мВт

[мпульсная рассеиваемая мощность при t„ < 1 мкс . . . 200 мВт

емпература перехода............. 393 К

1бщее тепловое сопротивление..........0,7 К/Вт

емпература окружающей среды.........От 233 до

358 К

Примечание. Разрешается трехкратный изгиб выводов на асстоянии не менее 3 мм от корпуса с радиусом закругления е менее 1 мм. При изгибе выводов должна быть обеспечена не-одвижность выводов на участке от корпуса до места изгиба и сключена возможность передачи усилия на место присоединения ывода к корпусу, нарушения консзрукции и герметичности тран-истора.

Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от ластмассового корпуса транзистора. Пайку производить в течение е более 10 с (температура пайки не должна превышать 523 К), риняв меры, исключающие возможность перегрева транзисторов

0,6 0,7 0,1

0,9 U3s,B

Входные характеристики.

Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера.

Зависимость максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер.

213 200

5 10 15 20 251д,

10 10ORs3,k0m

КТ359А, КТ359Б, КТ359В

Транзисторы кремниевые планарные п-р-п высокочастотные уси-дительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 20 МГц.

Бескорпусные с твердыми выводами. Обозначение типа приводится на этикетке.

Масса транзистора не более 0,005 г.

Зми-ттер Ноллентор

0,15 0,04

<t>o,ia

0,35

-база

Иоллектор

Электрические оараметры

Граничная частота при {/«э = 2 В, /э = 5 мА не

менее....................

Постоянная времени цепи обратной связи при t/кБ = 2 В,

/э = 2 мА, /=5 - 30 МГц не более........

Коэффициент шума при [/«э = 2 В, /э = 1 мА,/ = 20 МГц

не более..................

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим

эмиттером при £/кб = 1 В, /э = 10 мА:

КТ359А.................

КТ359Б..................50-150

КТ359В................. 70-280

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при /« =

= 10 мА, /б = 1 мА не более.........

Обратный ток коллектора при С/кб = 15 В не более . . . Обратный ток эмиттера при [/эб = 3,5 В не более . . . Емкость коллекторного перехода при [«б = 5 В не

более ...................

Емкость эмиттерного перехода при [/эб = ОЛ В не

более...................

Предельные эксплуатациоииые данные

Постоянное напряжение коллектор-база......

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Лэб =

= 3 кОм.................

Постоянное напряжение эмиттер-база.......

Постоянный ток коллектора...........

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора ....

Температура перехода............. 373 К

Температура окружающей среды.......От 223 до 358

300 МГц

100 пс

6 дБ

30-90

0,7 В 0,5 мкА I мкА

5 пФ

6 пФ 15 В

15 В

3,5 В 20 мА 15 мВт

КТ369А, КТ369А-1, КТ369Б, КТ369Б-1, КТ369В, КТ369В-1, КТ369Г, КТ369Г-1

Транзисторы кремниевые эпитаксиазьно-планарные п-р-п переклю-тельные высокочастотные маломощные

Бескорпусные, с гибкими выводами, с защитным покрытием эозначение типа приводится на этикетке

Масса транзистора не более 0,02 г

В прилит 1

Виза,

Коллектор Б 0,30. Эми,ттер

Электрические параметры

аничная частота при [/б=10 в, /э = 30 мА не

vienee................... 200 МГц

атический коэффициент передачи тока в схеме с общим шиттером при Lk3 = 2 в, /э = 150 мА

КТ369А, КТ369А-1............20-100

КТ369Б, КТ369Б-1............ 40-200

при (/э =3 В, /э = 10 мА

КТ369В, КТ369В-1............20-100

КТ369Г, КТ369Г-1............ 40-200