Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при /« = 200 мА, /б = IО мА не более

КТ369А, КТ369А-1, КТ369Б, КТ369Б-1..... 0,8 В

КТ369В, KT369B-I, КТ369Г, КТ369Г-1..... 0,5 В

Напряжение насыщения база-эмиттер при /к = 250 мА, /g = 50 мА не более............ 1,6 В

Обратный ток коллектора не более при г/кБ = 45 В КТ369А, КТ369А-1, КТ369Б,

КТ369Б-1................. 7 мкА

при 1/кБ = 65 В КТ369В, КТ369В-1 КТ369Г, КТ369Г-1.................10 мкА

Обратный ток эмиттера при [/эб = 4 В не более ... 10 мкА

Емкость коллекторного перехода при [/«б = Ю В не более

КТ369А, КТ369А-1, КТ369Б, КТ369Б-1...... 15 пФ

KJ369B, КТ369В-1, КТ369Г, КТ369Г-1...... 10 пФ

Емкость эмиттерного перехода при [/эб = О не более

КТ369А, KT369A-I, КТ369Б, КТ369Б-1...... 50 пФ

КТ369В, КТ369В-1, КТ369Г, КТ369Г-1......40 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор-база

КТ369А, КТ369А-1, КТ369Б, КТ369Б-1..... 45 В

КТ369В, КТ369В-1, КТ369Г, КТ369Г-1..... 65 В

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Лэв = = 1 кОм

КТ369А, КТ369А-1, КТ369Б, КТ369Б-1..... 45 В

КТ369В, КТ369В-1, КТ369Г, КТ369Г-1...... 65 В

Постоянное напряжение эмиттер-база........ 4 В

Постоянный ток коллектора........... 250 мА

Импульсный ток коллектора при т„ < 10 мкс,

Q> 5 ................... 400 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора .... 50 мВт Импульсная рассеиваемая мощность котлектора при

т„ < 10 мкс, Q> 5.............. 1,6 Вт

Температура перехода............. 423 К

Температура окружающей среды.........От 213 до

358 К

КТ373А, КТ373Б, КТ373В, КТ373Г

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р п универсальные высокочастотные маломощные

Предназначены для работы в схемах переключения и усиления высокой частоты

Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами Обозначение типа приводится на корпусе

Масса транзистора не более 0,2 г

Эмиттер

Электрические параметры

раничное напряжение при /3 = 5 мА не менее

КТ373А, КТ373Г............. 25 В

КТ373Б................. 20 В

КТ373В................. 10 В

апряжение насыщения коллектор-эмиттер при /к =

= J0 мА, /б = 1 мА не более........ 0,1 В

апряжение насыщения база-эмиттер при / = 10 мА,

/б = 1 мА не более............. 0,9 В

татический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при [/б = 5 В, /3 = 1 мА при Г = 298 К

КТ373А................ 100-250

КТ373Б................ 200 - 600

КТ373В................ 500-1000

КТ373Г................ 50-125

при Г= 358 К

КТ373А................ 100-750

КТ373Б................ 200-1800

КТ373В................ 500-3000

КТ373Г................ 50-375

при Т= 233 К

КТ373А................ 25-250

КТ373Б................ 50-600

КТ373В................125-1000

КТ373Г................ 12-125

одуль коэффициента передачи тока при /= 100 МГц,

[/«б = 5 В, /э = 1 мА не менее......... 3

эстоянная времени цепи обратной связи при /= 5 МГц, [/«б = 5 В, /[с = 1 мА не более

КТ373А, КТ373Г............. 200 пс

КТ373Б................ 300 пс

КТ373В................ 700 пс

iKocTb коллекторного перехода при (/б = 5 В,

= 10 МГц не более............ 8 пФ

)ратный ток коллектора при {/«б = (-кэ макс

при Г = 298 К...............0,05 мкА

при Г = 358 К.............. 10 мкА

Обратный ток коллектор-эмиттер при t/кэ = кэ макс не более:

КТ373А, КТ373Б, КТ373В..........30 мкА

КТ373Г................100 мкА

Обратный ток эмиттера при иэ = 5 В не более ... 30 мкА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор-эмнттер при Лбэ = = 10 кОм:

КТ373А................. 30 В

КТ373Б................. 25 В

КТ373В................. 10 В

КТ373Г................. 60 В

Постоянное напряжение база-эмиттер....... 5 В

Постоянный ток коллектора...........50 мА

Импульсный ток коллектора при т„ < 50 мкс, Q > 500 200 мА Постоянный ток коллектора в режиме насыщения ... 100 мА Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при

Г= 233- 328 К...............150 мВт

Температура перехода............. 423 К

Температура окружающей среды.........От 223 до

358 К

Примечания: 1. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт, при Г = 328 - 358 К определяется по формуле

РК макс = (423 - Г)/0,61.

2. Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора.

Не рекомендуется работа транзисторов при рабочих токах, соизмеримых с неуправляемыми обратными токами.

Изгиб выводов допускается на расстоянии не менее 3 мм от корпуса транзистора, радиус изгиба не менее 2 мм.

213 253 293 333 373Т„,К

Зависимость обратного тока коллектора от температуры перехода.

800 600 400 200

О 10 20 30 101к,мА

Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора.