1000 800 BOO 400 200

о 4 8 12 1ВикБ,В

Зависимость статического коэффициента передачи тока от напряжения коллектор-база.

2 4 68 г 4В8 2 1,,мкА

1 10 10

Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора.

213 253 293 333 373 Т,К

Зависимость статического коэф-1)ициента передачи тока от температуры.

I 0,8 Д 0,7 0,6 0,5

О 10 20 30 401,мА

Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от тока коллектора.

,0,8

0,6 0,5

213 253 293 333 373Т,К

ависимость напряжения насы-(ения база-эмиттер от температуры.

0,25 0,2

J 0.1

0,05 О

10 20 30 401к,мА

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора.

0,125 0,1

°iD,075

I 0,05 0,025 0

213 253 293 333 373Т,К

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от температуры.

fl,D5

I 1о,95

0,9 \0,85

10г 10 10 Rs3,0m

Зависимость относительного максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер.

КТ375А, КТ375Б

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п универсальные высокочастотные маломощные.

Предназначены для работы в переключательных и усилительных схемах высокой частоты.

Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится в этикетке.

Масса транзистора не более 0,25 г.

Коллектор

База

Эмиттер

Электрические параметры

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при =

= 10 мА, /б = I мА не более........ 0,4 В

Напряжение насыщения база-эмиттер при 4 = 10 мА,

h = 1 мА не более............. IB

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при t/кэ = 2 В, /э = 20 мА: при Г= 298 К:

КТ375А................10-100

КТ375Б................ 50-280

при r= 358 К

КТ375А................10-200

КТ375Б................ 50-560

при Г = 228 К

КТ375А................ 8-100

КТ375Б................ 25-280

Иодуль коэффициента передачи тока при /=100 МГц,

(/«э =10 в, /к = 5 мА не менее........ 2,5

1остоянная времени цепи обратной связи при /= 2 МГц,

[/кб=10 в, /э = 5 мА не более........ 300 пс

iMKocTb коллекторного перехода при иъ = Ю В,

/= 2 МГц не более............. 5 пФ

iMKOCTb эмиттерного перехода при [/бэ =1 в, / = 2 МГц

не более.................. 20 пф

)братный ток коллектора при [/кб = f/кБ макс не более

при Г = 298 К.............. 1 мкА

при Г = 358 К..............10 мкА

)братный ток эмиттера при [/бэ = 5 в не более .... 1 мкА

Предельные эксплуатационные данные

(остоянные напряжения копектор-база кол ieicTop-эмит-тер при Йбэ < 100 Ом

КТ375А................. 60 В

КТ375Б................. 30 В

остоянный ток коззектора........... 100 мА

мпузьсный ток коззектора при х„ < I мкс..... 200 мА

остоянная рассеиваемая мощность колзектора . . . 200 мВт

мпульсная рассеиваемая мощность коззектора при

т„ < 1 мкс................. 400 мВт

гмпература перехода............. 398 К

мпература окружающей среды.........От 228 до

358 К

Примечания I Максимально допустимая постоянная рас-иваемая мощность коллектора, мВт, при Г= 298 - 358 К опре-ляется по формуле

Рк макс = (398 - 7)/0.5

2 Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от рпуса транзистора

Допускается трехкратный изгиб выводов на расстоянии не менее AM от корпуса с радиусом закругления не менее I мм

Следует учитывать возможность самовозбуждения транзисторов, с высокочастотных элементов с большим коэффициентом усиления