100 80

. ВО

20 О

0,7 0,8 0,9 1,0 1,lUs3,B Входные характфистнки.

О 20 40 60 801з,мА

Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера

0,95 0,9 -0,85

I 0,8

0,75 0,7

0,95 0,9 S 0,85 J 0,8 0,75 0>7

10 20 30 Ч01,,мА 213 253 293 333 373Т,К

Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от тока коллектора.

Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от температуры.

0,35 0,3

G 0,25

0 10 20 30 т,мА

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора.

0,15 0,1

213 253 293 333 373 Т,К

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмнттер от температуры.

КТ379А, КТ379Б, КТ379В, КТ379Г

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п универсальные высокочастотные маломощные

Предназначены дзя работы в схемах усиления высокой частоты и переключения герметизированной аппаратуры

Бескорпусные с твердыми выводами Транзисторы помещаются в герметичную заводскую упаковку Обозначение типа приводится в паспорте

Масса транзистора не бозее 0,01 г

Коппектоо Эмиттер

4- вывода Ф0,18

База

Коллектор

0,25

Электрические параметры

Граничное напряжение при /э = 5 мА не менее

КТ379А, КТ379Г............

КТ379Б...............

КТ379В...............

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при = 10 мА, /б = 1 мА не более

КТ379А, КТ379Б, КТ379В..........

ктз-дг.................

Напряжение насыщения база-эмиттер при = 10 мА, /б = 1 мА не более

КТ379А, КТ379Б, КТ379В..........

КТ379Г.................

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при (/б = 5 В, = 1 мА при Г= 298 К

КТ379А................

КТ379Б .

КТ379В .

КТ379Г при Г = 358

КТ379А .

КТ379Б .

КТ379В .

КТ379Г . при Т= 228

КТ379А .

25 В 20 В 10 В

0,1 В 0.2 В

0,9 В 1,1 В

100-250 200-500 400-1000 50-125

100-750 200 - 1500 400-3000

50-375

25-250

КТ379Б................ 50-500

КТ379В................100-1000

КТ379Г................ 12-125

родуль коэффициента передачи тока при / = 100 МГц, [/ g = 2 В, /э = 5 мА не менее

КТ379А, КТ379Г............. 2,5

КТ379Б, КТ379В............. 3

Емкость коллекторного перехода при [/кб = 5 В,

у= 10 МГц не более............ 8 пФ

Обратный ток коллектора при иь = кэ макс не более

при Г = 228 К и Г = 298 К.........0,05 мкА

при Г = 358 К.............. 1 мкА

Обратный ток коллектор-эмиттер при Лбэ = О кОм, г/кэ= кэмакс не ботее

КТ379А, КТ379Б, КТ379В.........30 мкА

КТ379Г................100 мкА

Обратный ток эмиттера при Uj = 5 В не ботее . . . . 30 мкА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение копектор-эмиттер при Лбэ = = 10 кОм

КТ379А................. 30 В

КТ379Б................. 25 В

КТ379В................. 10 В

КТ379Г................. 60 В

Постоянное напряжение база-эмиттер........ 5 В

Постоянный ток коллектора..........30 мА

Импульсный ток коллектора при т„ < 100 мкс Q > 5 . . 100 мА Постоянная рассеиваемая мощность коллектора

прп Г = 298 К..............25 мВт

при Г = 358 К..............10 мВт

Импульсная рассеиваемая мощность коллектора при

т„ < 100 мкс е > 5.............75 мВг

Температура перехода ............. 373 К

Тепловое сопротивление переход-среда.......3 К/мВт

Температура окружающей среды..........От 228 до

358 К

Примечания I Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт при Г = 298 - 358 К определяется по формуле

К «акс = (373 - 71/3 2 При пайке выводов допускается нагрев транзистора до температуры 573 К в течение 1 мин, до температуры 423 К в течение 1,5 ч

При включении транзистора в цепь, находящуюся под напряжением, базовый контакт необходимо присоединять первым и от-оединять последним Не рекомендуется эксплуатация транзисторов