с отключенной базой по постоянному току Необходимо принимать меры защиты от статического заряда

Не рекомендуется работа при токах, соизмеримых с неуправляемыми обратными токами во всем диапазоне температур

0,02 0,015

0,01 0,005

О 0,2 0,4 0,6 0,8Us3,B 213 253 293 333 373Т,К

Входные характеристики Зависимость обратного тока

коззектора от температуры

"213

800 650 500 350 200 50

О 4 8 12 161ц,мА

"213

500 400

300 200

4 6 2 4Ik,mA 100

4 08 2 1 10

Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коззектора

с»

0,8 t0,7 0,6

70 60

5. 50

1 40

30 20

10 10 10 W 10Rs3,0m 10 10 > 10~ 10 10 1г„,с

Зависимость относите зьного Зависимость максимально до-максимально допустимого на- пустнмой импульсной мощно-пряженпя коллектор-эмиттер от сти от длительности импу зьса сопротивления база-эмиттер

2Т385А-2, 2Т385АМ-2, КТ385А, КТ385АМ

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п пере-1К)чатетьные матомощные

Предназначены для применения в системах памяти ЭВМ герметизированной аппаратуры.

Бескорпусные, с гибкими выводами, защитным покрытием на керамическом (2Т385А-2. КТ385А - вариант 1) и металлическом (2Т385АМ-2. КТ385АМ - вариант 2) кристаллодержателях

Поставтяются в сопроводительной таре, позволяющей без извлечения из нее транзисторов проводить измерения их электрических параметров

Обозначение типа приводится на сопроводительной таре. Масса транзистора на керамическом кристаллодержателе не более 0,015 г. на металлическом не более 0,004 г.

Вариант 1 1,9 П

0,87

Коллектор

Эмиттер Вариант Z

"Л

<t>0,0h

База

til 11

Ко/7лектор

Эмиттер

Граничное напряжение при /к = Ю мА, т„ Ю мкс

и Q> 50 2Т385А-2, 2Т385АМ-2 ........ 40-60* В

типовое значение ............. 48* В

Напряжение насыщения колзектор-эмиттер при = = 150 мЛ, /б = 15 мА, т„ < 30 мкс и е ? 50

2Т385А-2. 2Т385АМ-2 ........... 0,32*-0.65 В

типовое значение............ 0,39* В

КТ385А, КТ385АМ не более........ 0,8 В

Напряжение насыщения база-эмиттер при = 150 мА, /б =15 мА, -с,, < 30 мкс и е> 50 2Т385А-2,

2Т385АМ-2...............1,0*-1,2 В

типовое значение............. 1,1* В

Время рассасывания ири = 150 мА, /б = /б: = 15 мА, т„ < 30 мкс. О > 50

2Т385А-2, 2Т385АМ-2...........15*-60 не

типовое значение............ 30* не

КТ385А, КТ385АМ не более....... 60 не

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при (/кэ =1 В, = 150 мА

2Т385А-2. 2Т385АМ-2........... 30-150

типовое значение ............ 60*

КТ385А, KT38SAM........... 20-200

Модузь коэффициента передачи тока при С/кэ = Ю В,

/к = 50 мА, /=100 МГц.......... 20-5,6*

типовое значение............. 3,5*

Обратный ток коллектора не более 2Т385А-2, 2Т385АМ-2

при 6кБ = 60 В и Г= 213 - 298 к..... 10 мкА

при t/кБ = 55 В и Г = 398 К....... 50 мкА

КТ385А, КТ385АМ при t/кБ = 60 В и

= 298 К................ 10 мкА

Обратный ток эмиттера не более 2Т385А-2, 2Т385М-2 при кб = 5 В

при Г= 213 - 298 К........... 10 мкА

при Г = 398 К............. 50 мкА

КТ385А КТ385АМ при С/б = 4 В и

= 298 К............... 10 мкА

Обратный ток коллектор-эмиттер при Йбэ = о более

2Т385А-2, 2Т385АМ-2

при [/кБ = 60 в и Г= 213 - 298 к..... 10 мкА

при [/кб = 55 В и Г = 398 К....... 100 мк А

Емкость коллекторного перехода при (Укб = Ю В,

/= 10 МГц 2Т385А-2, 2Т385АМ-2......2,5*-4 пФ

типовое значение............ 3,3* пФ

Емкость эмиттерного перехода при [/эб = О В, / =

= 10 МГц 2Т385А-2, 2Т385АМ-2.......13*-25 пФ

типовое значение............. 15* пф