схоянное напряжение кол icKTop эмилтер КТЧ85А, КТ385АМ при t зБ = 5 кОм от Г = 228 К до

j-= 358 К................. 40 В

Ппслояниое напряжение ко i леклор-база 2Т385А-2 2Т385АМ-2

от Г=2П К до Г, = 373 К....... 60 В

при Г, = 398 К............. 55 В

КТ38<;А КТ385АМ от Г = 228 до = 358 К . . . 60 В Постоянное напряжение эмиттер-база

2Т385А-2 2Т385АМ-2 от 7"= 213 К до Г, = 398 К . . 5 В

КТ385А КТ385АМ -т Г= 228 К до Г, = 358 К . . . 4 В Постоянный ток коллектора

2Т385А-2 2Т385АМ-2 от Г = 213 К до Г„ = 398 К . . 03 А

КТ385А КТ385АМ от Г= 228 К до Г, = 358 К . . . 03 А Импульсный ток копектора при т„ < 5 мкс Q>10

2Т385А-2 2Т385АМ-2 от Г= 213 К до Г, = 398 К . . 05 А

КТ385А КТ385АМ от Г= 228 К до Г, = 358 К . . . 05 А Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 2Т385А-2 2Т385АМ-2

от Г = 213 К до Г, = 373 К........ О 3 Вт

при = 398 К............. О 06 Вт

КТ385А КТ385АМ

от Г = 228 К до Г, = 343 К........ О 3 Вт

при Г, = 358 К............. О 2 Вт

Тепловое сопротивление переход-подложка...... 110 К/Вт

Температ\ра перехода

2Т385А-2, 2Т385АМ-2 ............ 408 К

КТ385А, КТ385АМ............. 393 К

Температура окружающей среды

2Т385А-2, 2Т385АМ-2............От 213 до

398 К

КТ385А, КТ385АМ.............От 228 до

1 358 К

Примечания 1 Для 2Т385А-2, 2Т385АМ-2 при Г = 373 -- 398 К максима тьно допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт, рассчитывается по формуле

408 - Г,

Г п пл + "Г пд к

2 Монтаж транзисторов в микросхемы осуществляется следующим образом Место монтажа в микросхеме смачивается спирто-канифотьным флюсом (Ю-ЗО- канифоти, 90-70 % спирта) Затем укладывается фольга припоя ПОС-61 (ГОСТ 21931-76) толщиной 30 мкм, размером 1,9 х 19 мкм Микросхема нагревается до температуры (373 + 5) К в течение 10 с В момент пайки транзистор Прижимается к месту монтажа пинцетом Усилие прилагается к боковым поверхностям кристаллодержателя

Допускаются другие методы монтажа транзисторов в микросхемы, обеспечивающие надежный теп-зовой контакт подложки транзистора с корпусом микросхемы и целостность конструкции транзистора.

При монтаже транзисторов в микросхемы должны быть приняты меры, исключающие перегиб и соприкосновение выводов и кристалла транзистора с острыми краями элементов микросхемы. Рекомендуется выводы транзисторов и место термокомпрессии или пайки покрывать лаками. При этом не допускается использование материалов, вступающих в химическое и электрохимическое взаимодействие с защитным покрытием и другими элементами конструкции транзистора.

"213

100 80 60 W 20

213 100

60 40 20

О 100 20 0 300 Ш5001х,мА О 2 4 6 8 10 Uk3,B

Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора.

Зависимость статического коэффициента передачи тока от напряжения коллектор-эмиттер.

0,в 0,7

4 0,5 = 0,4 0,3 0,2.

1,0 0,9

0 100 200 300 400 5001к,мА О 100 200 300 400 5001к,мА

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора.

Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от тока коллектора.

\h2b I 5,0

гтз85А-г,гтз85АМ-г,

-КТ385А,КТ385АМ

5,0 %0 3,0 2,0 1,0

О 50 100 150 200 2501ц,мА

Зависимость хгод> тя коэффициента передачи тока от тока котлектора

4 8 12 16 20икэ,В

Зависимость мод> тя коэффициента передачи тока от напряжения коллектор-эмиттер

40 35 о 30 J 25

15 10

1,2 1,1

~\0,8 0,1 0.6

о 50 100 150 г00 2501к,мА fOl 10° 10 10 10 Rs3,k0m

Зависимость времени рассасывания от тока коллектора

Зависимость относительного напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер

Ск,пР 10

Сз,пР

О 4 8 12 16 20 U,B

Зависимость емкости коллекторного перехода от напряжения коллектор-база

О 1 2 3 4 5U3B,B

Зависимость емкости эмиттерного перехода от напряжения эмиттер-база