Граничная частота при 0=10 В, /к = 30 мА не менее

2ТЗП7А................. 300 МГц

КТ3117А................. 200 МГц

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при t/кэ = 5 В, /-э = 200 мА

при Г = 298 К.............. 40-200

при Г =213 К 2Т3117А...........15-200

при Г= 398 К 2T31I7A........... 30- 350

Напряжение насыщения коллектор-эмитгер при /к = = 500 мА, /ь = 50 мА не более.

2Т3117А................. 0,5 В

КТЗША................. 0,6 В

Напряжение насыщения база-эмиттер при /«; = 500 мА, /g = 50 мА не более............. 1,2 В

Обратный ток котлектора при 1/ = 60 В не более

при Г = 298 К 2Т3117А...........5 мкА

при Г = 298 К КТ3117А..........10 мкА

при Г= 398 К 2Т3117А...........50 мкА

Обратный ток эмиттера при Uj = 4 В 2T3I17A .... 5 мкА

Емкость котекторного перехода при f/кБ = 10 В не более

2Т3117А................. 10 пФ

КТ3117А................. 15 пФ

Емкость эмиттерного перехода при [/эб = О не более.

2Т3117А................. 80 пФ

КТ3117А.................100 пФ

Время рассасывания 2T3I17A при /к = 500 мА, /б =

= /б2 = 50 мА не более........... 60 не

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор-база при Г < 398 К 2Т3117А и Г< 308 К КТ3117А........ 60 В

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при ЛэБ < 1 кОм

2T31I7A при Г < 398 К.......... 60 В

КТ3117А при Г < 308 К.......... 50 В

Постоянное напряжение эмиттер-база при Г < 398 К

2Т3117Л и Г< 308 К КТ3117А........ 4 В

Импульсное напряжение эмиттер-база 2Т3117А при

х„ < 1 мкс, Q> 2.............. 5В

Постоянный ток коллектора при Г398 К 2Т3117А

и Г< 308 К КТ3117А............ 400 мА

Импульсный ток коллектора при Q > 10, т,, < 10 мкс,

398 К 2Т3117А, т„ < 1 мкс, Г< 308 К КТ3117А . . 800 \iA Постоянная рассеиваемая мощность коллектора

2T31I7A при Г< 298 К, KT3I17A при Г < 308 К . . 300 мВт

2Т3117А при Г= 398 К..........70 мВт

2Т3117А при Г„ < 323 К.......... 1 Вг

2Т3117А при Г, = 398 К.......... 250 мВт

Импульсная рассеиваемая мощность котлектора при Q> 10

2T3II7A при т„ < 10 мкс, Г < 298 К...... 800 мВг

КТ3117А при т„ < 1 мкс, Г< 308 К...... 800 мВт

2T3I17A при т„ < 10 мкс. Г= 398 К...... 200 мВт

Температура перехода............. 423 К

Температура окружающей среды

2T3II7A..............От 213 до 398 К

KT3II7A..............От 228 до 358 К

П504, П504А, П505, П505А

Транзисторы кремниевые сплавно-диффузионные п-р-п универсальные маломощные.

Предназначены для применения в усилительных и генераторных схемах высокой частоты, а также в переключающих схемах радиоэлектронных устройств

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса Вывод эмиттера на буртике корпуса маркируется цветной точкой.

Масса транзистора не бозее 2 г

"72 S База Этт тер

Коп/1ектор / Корпус

•4м Точка эмиттера Электрические параметры

Постоянная времени цепи обратной связи при (/«б = = 10 В, /э = 5 мА, /= 5 МГц П505, П505А не более ................... 1500 пс

Коэффициент передачи тока в режиме мазого сигнала при г/кБ = 10 В, /э = 5 мА, /= 50 - 1500 Гц прц Г = 298 К

П504 .................10 -

П504А.................25 -

П505

40 -

П505А.................20 -

при Г = 213 К

П504 ...........

35 80 150

.От 0,5 значения при Г = 298 К до 35, но не менее 6,5

[-j;04A.............От 0.5 значения при

Г= 298 К до 80

Г150 .............От О 5 значения при

Г= 298 К до 150

]-[50А.............От О 5 значения при

Г = 298 К до 60

„р„ Г = 393 К

П504 П505А...............От 0.8 до 2

значений при Г = 298 К

П504А, П505 ...............От 0,8 до 2,5

значения при Г = 298 К

Модуль коэффициента передачи тока при U = 10 В, Ij = 5 мА /=20 МГц не менее

П504, П504А............... 2,5

П505. П505А............... 4,7

Выходная полная проводимость в режиме малого сигнала при хотостом ходе при С/кБ=0 В, /э = S мА,

/ = 50 - 1500 Гц не более..........2 мкСм

Обратный ток коллектора не более П504 П504А при иъ = 30 В

при Г= 298 К и Г=213 К........ 2 мкА

при Г = 393 К..............120 мкА

П50, П505А при С/кб = 20 В

при Г = 298 К и Г=213 К........ 2 мкА

при Г = 393 К..............120 мкА

Обратный ток эмиттера при Сэб = 2 В не более .... 20 мкА Емкость коллекторного перехода при ив = Ю В, /= 5 МГц не более............. 7 пФ

Предельные эксплуатациоииые даииые

Напряжение котлектор-эмиттер при Кбэ < О кОм

П504. П504А............. 30 В

П505. П505А............. 20 В

Напряжение коллектор-база

П504. П504А............. 30 В

П505. П505А............. 20 В

Постоянное напряжение эмиттер-база...... 2 В

Импульсное напряжение эмиттер-база при

т„ < 20 мкс............... 4 В

Ток коллектора в режиме усиления...... 10 мА

Ток коллектора в режиме переключения..... 20 м\

Послоянпая рассеиваехтая хющность

при Г= 213 - 333 К......... 150 мВт

при Г = 393 К............ 50 мВт

Теп ювое сопротивление переход-среда..... бООК/мВт

Температура р-п перехода......... 423 К

Температура окружающей среды.......От 213 до 393 К