последовательное сопротивление коллектора, то это означает малое втияние этого параметра на типовые эксплуатационные характе-пистики, и он может быть исключен из схемы.

Приводимое в справочнике значение емкости коллекторного перехода СВЧ мощных транзисторов включает в себя значения емкостей металлизированных площадок в структуре транзистора и емкостей корпуса. То же относится и к понятию «емкость змиттерного перехода»

Усилительные свойства мощных высокочастотных линейных транзисторов характеризуются параметрами, методы измерения которых основываются на использовании двухтонового сигнала, состоящего из двух гар\юнических сигналов

Нелинейные свойства транзисторов в этом случае оцениваются коэффициентом комбинационных составляющих третьего и пятого порядков, являющимся отношением наибольших амплитуд соответствующих комбинационных составляющих спектра выходного сигната (рис 2 8) к амплитуде основного тона.

Рис. 2.8. Вид спектра частот выходного сигнала при измерении коэффициента комбинационных составляющих методом двухтонового сигнала.

/ - основной тон 2 - комбинанионные составляюшие третьего порядка. 3 - комбинационные составляющие пятого порядка

Между средней мощностью линейного двухтонового сигнала и мощностью в пике огибающей существует соотношение

вых вых(по)2.

Это соотношение используется для расчета КПД коллектора транзистора в режиме двухтонового сигнала.

В процессе монтажа транзисторов в схемы механические и тепловые воздействия на них не должны превышать значений, указанных в ТУ, так как это может привести к растрескиванию изолятора и. следовательно, к нарушению герметичности корпуса транзистора

При рихтовке, формовке и обрезке участок вывода у корпуса транзистора должен быть закреплен таким образом, чтобы в месте выхода вывода из корпуса (изолятора) он не испытывал изгибающих или растягивающих усилий. Оснастка для формовки выводов должна быть заземлена

Расстояние от корпуса транзистора до начала изгиба вывода при формовке должно быть не менее 2 мм, если в ТУ на конкретный тип транзистора не указано иное. При диаметре вывода

2 Потупроводнпковые приборы 33

не бочее 0.5 мм радиус его изгиба должен быть не менее 0,5 мм, при диаметре от 0,6 до 1,0 мм - не менее 1 мм, при диаметре ботее 1,0 мм - не менее 1,5 мм

При тужении, пайке и монтаже транзисторов стедует принимать меры, исключающие возможность их повреждения из-за перегрева и механических усилий В процессе выполнения операций туження и пайки расстояние от корпуса (изолятора) до места тужения и пайки должно быть не менее 3 мм, если в ТУ на конкретный тип транзистора не указано иное

Допускается пайка без теплоотвода и групповым методом если температура припоя не превышает (533 ± 5)К, а время пайки не более 3 с, если в ТУ на конкретный тип транзистора не указано иное

Очистку печатных плат от флюсов допускается производить жидкостями, не портящими покрытие, маркировку и материал корпуса транзистора (рекомендуется спиртобензиновая смесь)

В процессе монтажа, транспортировки, хранения ВЧ и СВЧ биполярных транзисторов и МДП полевых транзисторов необходимо обеспечивать защиту их от воздействия статического электричества Способы защиты изложены в ОСТ II аАО 336 013-73

к числу важнейших предупредительных мер относятся хорошее заземление оборудования и измерительных приборов, применение заземляющих браслетов (или колец) между телом оператора и землей, антистатических халатов,

использование низковольтных электропаяльников с заземленным жалом

Транзисторы МДП полевые (кроме мощных) хранят и транспортируют при наличии замыкателей на их выводах Замыкатели удаляют только перед моментом включения (монтажа) транзистора в схему В момент пайки все выводы МДП транзистора должны быть закорочены

Для сохранения минимальных значений тока затвора МДП полевых транзисторов необходимо применять меры, предохраняющие корпус от попадания флюса и припоя

При выборе лаков или компаундов для заливки плат с МДП полевыми транзисторами необходимо учитывать влияние этих материалов на ток утечки затвора транзистора

При применении МДП полевых транзисторов во входных каскадах радиоэлектронной аппаратуры необходимо принимать меры их защиты от электрических перегрузок

Для измерения параметров транзисторов промышленностью выпускается ряд измерительных приборов

Наибольшее распространение для измерения параметров маломощных биполярных транзисторов получил прибор Л2-22, мощных -Л2-42 Для измерения параметров полевых транзисторов могут быть использованы приборы типов Л2-32, ЛЗ-38, Л2-46 и Л2-48

Методы измерения основных электрических параметров транзисторов установлены государственными стандартами

Для наблюдения вольт-амперных характеристик транзисторов рекомендуется использовать прибор Л2-56 (ПНХТ-2).

Часть вторая

СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

Ра 3 д е1 третий ТРАНЗИСТОРЫ МАЛОМОЩНЫЕ НИЗКОЧАСТОТНЫЕ

п-р-п

ТМЗА, ТМЗВ, ТМЗГ, ТМЗД, МЗА, мзв, мзг,

Транзисторы германиевые сплавные п-р-п универсальные низкочастотные маломощные

Предназначены для применения в усилительных, импульсных и переключающих схемах в составе гибридных интегральных микросхем залитой и капсулнрованной конструкций.

База

Коллектор, Эмиттер

2, 75

Черная точка

МЗА, МЗВ,МЗГ,МЗЛ

Иа.рни.роВочиа,я точка.

база

Коллектор