Предельные эксплуатационные даииые

Постоянное напряжение коллектор-база: 2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602БМ:

при Г < 373 К............ 120 В

при Г = 423 К............. 60 В

КТ602А, КТ602Б

при Г < 343 К............ 120 В

при Г = 393 К............ 60 В

Импульсное напряжение коллектор-база: 2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602БМ:

при Г < 373 К............ 160 В

при Г = 423 К............ 80 В

КТ602А, КТ602Б при Г < 343 К...... 160 В

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Йбэ < 1 кОм.

jjfe 8 Полупроводниковые приборы 225

Граничное напряжение при /3 = 50 мА, т„ = 5 мкс, /= 2 кГц

не менее...................70 В

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при /к = 50 мА,

/g = 5 мА не более..............3 В

Напряжение насыщения база-эмиттер при /к = 50 мА,

/g = 5 мА не более..............3 В

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при (/кб = Ю В, /3= 10 мА

2Т602А, КТ602А, 2Т602АМ...........20-80

2Т602Б. 2Т602БМ............... 50-200

КТ602Б не менее............... 50

Постоянная времени цепи обратной связи при (/кб=10 В,

4 = 10 мА, /= 2 МГц не более.......... 300 пс

Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с

общим эмиттером при f/кз = 10 В, = 25 мА не менее . .150 МГц Емкость коллекторного перехода при (/кб =50 В, /= 2 МГц

не более...................4 пФ

Емкость эмиттерного перехода при (/35 = 0, /= 2 МГц не

более....................25 пФ

Обратный ток коллектора при Г = 298 К, (/кБ= 120 В не более

2Т602А, 2Т602Б. 2Т602АМ, 2Т602БМ.......10 мкА

КТ602А, КТ602Б...............70 мкА

при Г = 398 К, (/кБ= 100 В 2Т602А, 2Т602Б. 2Т602АМ,

2Т602БМ не более...............50 мкА

Обратный ток коллектор-эмиттер.

при Г = 298 К, (/кэ = 100 В, Rb = Ю Ом не более

2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602БМ.......10 мкА

КТ602А, КТ602Б...............100 мкА

при Г = 398 К, (/кэ = 80 В, «эь = Ю Ом 2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602БМ не более.......50 мкА

2Т602А 2Т602Б

при Г < 373 К............

при Г= 423 К............

КТ602А, КТ602Б

при Г < 343 К............

при Г = 343 К............

Постоянное напряжение эмиттер-база......

Постоянный ток козлектора........

Импульсный ток коллектора при t„ < 1 мкс,

Q>1.................

Постоянный ток эмиттера.........

Постоянная рассеиваемая мощность

без теплоотвода

при Г < 293 К............

при Г=398 К 2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ,

2Т602БМ..............

при Г = 358 К КТ602А, КТ602Б.....

с теплоотводом

при Г, < 293 К............

при Г„ = 398 К 2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ,

2Т602БМ..............

прн Гк = 358 К КТ602А, КТ602Б.....

Температура перехода

2Т602А, 2Т602Б ............

КТ602А, КТ602Б............

Общее тепловое сопротивление

переход-корпус ............

переход-окружаюшая среда........

Температура окружающей среды

2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602БМ .... От

КТ602А, КТ602Б............От

100 В 50 В

100 В 50 В 5 В 75 мА

500 мА 80 мА

0,85 Вт

0,16 Вт 0,2 Вт

2,8 Вт

0,55 Вт 0,65 Вт

423 К 393 К

45 К/Вт 150 К/Вт

213 до 398 К 233 до 358 К

Примечание При постоянной рассеиваемой мощности более 0,85 Вт транзистор необходимо крепить за корпус к теплоотводя-щей панели

1>213 200

80 -2Т602А,КТ602А

О 10 20 30 4 0 501ц,мА

Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора

200 1Б0 120 80 40

О 10 20 30 40 500k3,(i Зависимость статического коэффициента передачи тока от напряжения коллектор-эмиттер.

Пайка и изгиб подводящих проводов при монтаже допускается а расстоянии не менее 5 мм от корпуса Радиус закругления при изгибе 1,5-2 мм Пайку следует производить в течение не более 10 с (температура пайки не должна превыщать 533 К)

При пайке необходимо осуществлять теплоотвод между корпусом транзистора и местом пайки

27J 293 313 333 Т,К

Зависимость статического коэффициента передачи тока от температуры

о 20 W во 80 Uns,B

Зависимость емкости коллекторного перехода от напряжения коллектор-база

о 5 10 15 20 251з,мА

Зависимость модуля коэффициента передачи тока от тока эмиттера

Сэ,пФ 25

0 12 3 4 5U3s,B

Зависимость емкости эмиттерного перехода от напряжения эмиттер-база

2Т603А, 2Т603Б, 2Т603В, 2Т603Г, 2Т603И, КТ603А, КТ603Б, КТ603В, КТ603Г, КТ603Д,

КТ603Е

Транзисторы кре\п1иевые энитаксиально-нланарные п-р-п импульсные высокочастотные маломощные

Предназначены для применения в импульсных и переключательных высокочастотных схемах