Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 1,75 г.

«о"

Эмиттер

Коллектор аза

Электрические параметры

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

при /« = 150 мА, /е =15 мА:

2Т603А, 2Т603Б, 2Т603В, 2Т603Г не более .... 0,8 В

типовое значение..............0,2* В

КТ603А, КТ603Б, КТ603В, КТ603Г, КТ603Д, КТ603Е

не более..................1,0 В

при/к = 350 мА,/б = 50 мА 2Т603И не более . ... 1,2 В

Напряжение насыщения база-эмиттер:

при /к = 150 мА, /б = 15 мА:

2Т603А, 2Т603Б, 2Т603В, 2Т603Г, КТ603А, КТ603Б,

КТ603В, КТ603Г, КТ603Д, КТ603Е не более.....1,5 В

типовое значение..............0,9* В

прн / = 350 мА, /б = 50 мА 2Т603И не более . . 1,3 В типовое значение..............1,0* В

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при (/б = 2 В при Г=298 К: при /э= 150 мА.

2Т603А, 2Т603В, КТ603Д...........20-80

КТ603А, КТ603В..............10-80

2Т603Б, 2Т603Г..............60-180

КТ603Б, КТ603Г не менее.......... 60

КТ603Е.................. 60 - 200

при /э = 350 мА 2Т603И не менее...... 20

типовое значение.............. 50*

при Г= 213 К, /э = 150 мА-

2Т603А, 2Т603В............. 8-80

2Т603Б, 2Т603Г.............20-180

2Т603И не менее............ 8

при Г = 398 К, /э = 150 мА-

2Т603А, 2Т603В.............20-180

2Т603Б, 2Т603Г............. 60-400

2Т603И не менее............ 20

ипемя рассасывания при /к = 150 мА, /б = 15 мА:

2Т603А, 2Т603Б, 2Т603В, 2Т603Г, 2Т603И не более ...................70 НС

типовое значение..............40* не

КТ603А, КТ603Б, КТ603В, КТ603Г, КТ603Д, КТ603Е

не более.................100 не

Постоянная времени цепи обратной связи при (/э = 10 В,

/з= 30 мА, /= 5 МГц не более......... 400 пс

типовое значение..............25* пс

Граничная частота передачи тока в схеме с общим эмиттером при (/кэ = 10 В, /э = 30 мА, не менее .... 200 МГц

типовое значение............... 370* МГц

Емкость коллекторного перехода при (/кэ = Ю В,/= 5 МГц

не более..................15 пФ

типовое значение...............3* пФ

Емкость эмиттерного перехода при (/эб = 0, /= 5 МГц

не более..................40 пФ

типовое значение...............35* пФ

Обратный ток котлектора, не более при Г = 298 К при (/кб = 30 в

2Т603А, 2Т603Б, 2Т603И..........3 мкА

КТ603А, КТ603Б.............10 мкА

при (/кб = 15 в

2Т603В, 2Т603Г.............3 мкА

КТ603В, КТ603Г.............5 мкА

при [/кб= 10 В КТ603Д, КТ603Е....... 1 мкА

при Г = 398 К

при (/кб = 24 в 2Т603А, 2Т603Б, 2Т603И .... 60 мкА

при (/кБ= 12 В 2Т603В, 2Т603Г.......60 мкА

Обратный ток эмиттера не более

при (/эб = 3 В 2Т603А, 2Т603Б, 2Т603В, 2Т603Г,

2Т603А, КТбОЗБ, КТ603В, КТ603Г, КТ603Д, КТ603Е 3 мкА

при (/бэ = 4 в 2Т603И...........3 мкА

Предельные эксплуатационные даииые

Постоянное напряжение коллектор-база и коллектор-эмиттер при Лбэ < кОм

при Гп<343 К

КТ603А, КТбОЗБ........... 30 В

КТбОЗВ, КТ603Г........... 15 В

КТ603Д, КТ603Е........... 10 В

при Гп< 373 К

2Т603А, 2Т603Б, 2Т603И....... 30 В

2Т603В, 2Т603Г........... 15 В

при Г„ = 393 К

КТ603А, КТбОЗБ........... 15 В

КТбОЗВ, КТ603Г........... 7,5 В

КТ603Д, КТ603Е........... 10 В

при Т= 398 К:

2Т603А, 2Т603Б, 2Т603И........

2Т603В, 2Т603Г...........

при Г= 423 К:

2Т603А, 2Т603Б, 2Т603И........

2Т603В, 2Т603Г...........

Напряжение эмиттер-база.

2Т603А, 2Т603Б. 2Т603В, 2Т603Г.....

2Т603И при Г„ < 343 К.........

2Т603И при Г„ = 398 К.........

Постоянный ток коллектора.........

Импульсный ток коллектора при t„ < 10 мкс,

Q> 10................

Постоянная рассеиваемая мощность;

при Г < 323 К............

при Г = 358 К КТ603А, КТ603Б, КТ603В, КТ603Г, КТ603Д, КТ603Е и Г = 398 К 2Т603А,

2Т603Б, 2Т603В, 2Т603Г, 2Т603И.....

Температура перехода:

2Т603А, 2Т603Б, 2Т603В, 2Т603Г, 2Т603И . . . КТ603А, КТ603Б, КТ603В, КТ603Г, КТ603Д,

КТ603Е...............

Общее тепловое сопротивление.......

Температура окружающей среды:

2Т603А, 2Т603Б, 2Т603В, 2Т603Г, 2Т603И . . . От 213 до 398 К КТ603А, КТ603Б, КТ603В, КТ603Г, КТ603Д,

КТ603Е...............От 233 до 358 К

Примечание. Расстояние от корпуса до начала изгиба вывода 3 мм.

Не допускается пайка выводов на расстоянии менее 5 мм от корпуса. Пайку выводов следует производить не более 10 с при температуре не более 543 К с теплоотводом между корпусом и местом пайки.

Запрещается кручение выводов вокруг осн.

24 В 12 В

18 В 9 В

3 В 300 мА

600 мА

0,5 Вт

0,12 Вт 423 К

393 К 200 К/Вт

гтбозА-гтбОзг,

- 2т605и, kts03a--кт603е

1з,мА

200 150 100 50

Зависимость тока эмиттера от напряжения эмиттер-база.

Входные характеристики.