hill

m so

60 0

Зона возможных положений зависимости статического коэффициента передачи тока от тока коллектора.

Л2«

т во

60 W 20

2 4 <У в Ю[;„,В

Зона возможных положений зависимости статического коэффициента передачи тока от напря. жеяия коллектор-эмиттер.

1,Z 1,0

ад 0,8

1 0,6

-т-1-1-Г"

ZT6p3A-ZT603r,\

КТ603А-КТ603Е

Ji, = 350mA

2Т603И ] 4 0,95

I„=150mA

1,05 1,0

0,9 0,85

Ч к = 150 м А ZT603A-ZT603r,

КТбОЗА-КТбОЗБ

О Z0 40 60 80 100Is,ma О 20 40 60 80 1001б,мА

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока базы.

Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от тока базы.

Сц,ПФ

5 4 3 2 1

2Т603А-2ТВ03Г, 2Т603И, КТВОЗА-КТВОЗЕ

Г = 5МГц

О 5 10 15 20 Z5Uks,8

Зависимость емкости коллекторного перехода от напряжения коллектор-база.

40 30

г изБ,в

Зависимость емкости эмиттерного перехода от напряжения эмиттер-база.

о го 40 60 80 l00f,Mrn

Зависимость модуля коэффициента передачи тока от частоты.

4.1,1

%0,8 10,7 §0,6

1 10 20 30 40 50Rs3,k0m

Зависимость максимального допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер.

КТ605А, КТ605Б, КТ605АМ, КТ605БМ

Транзисторы кремниевые меза-планарные п-р-п универсальные высокочастотные маломощные.

Предназначены для применения в импульсных, переключательных и усилительных высокочастотных схемах.

BcLptidHm 1 в Место ма.рки.ро5ш БазОу

Змиттер Z,54

Ва.ра.а.нт I 5,8

Коллектор Эмиттер 1,6

Выпускаются в металлостеклянном (КТбОЗА, КТ605Б - вариант 1) пластмассовом корпусах с гибкими выводами (КТ605АМ,

Т605БМ - вариант 2) Обозначение типа приводится на корпусе Масса транзистора в металлостеклянном корпусе не более 2 г,

g ппастмассовом не более 1 г

Электрические параметры

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при /= 20 мА, /б = 2 мА не более...... 8 В

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при /э = 20 мА, Ukb = 40 В

КТбОЗА............... 10-40

КТбОЗБ............... 30-120

Граничная частота коэффициента передачи тока при [73 = 40 В, /э = 20 мА не менее..... 40 МГц

Емкость коллекторного перехода при (/б = 40 В, у=2 МГц не более........... 7 пФ

Емкость эмиттерного перехода при (/эб = 0 В, /= 2 МГц не более........... 50 пФ

Обратный ток коллектор-эмнттер при (/«э = 250 В не более............... 20 мкА

Обратный ток эмиттера при (/эб = 5 В не более ................. 50 мкА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор-база

при Г < 373 К............ 300 В

при Г = 423 К............ 150 В

Постоянное напряжение коллектор-эмигтер при Лбэ < 1 кОм

при Г < 373 К............ 250 В

при Г = 423 К............. 125 В

Постоянное напряжение эмиттер-база

при Г < 373 К............ 5 В

при Г = 423 К............ 2,5 В

Постоянный ток коллектора......... 100 мА

Импульсный ток коллектора........ 200 мА

Постоянная рассеиваемая мощность

при Г < 298 К............ 0,4 Вт

при Г = 373 К............ 0,17 Вт

Температура перехода ........... 423 К

Тепловое сопротивление переход-среда..... 300 К/Вт

Температура окружающей среды.......От 233 до 423 К

Примечание Пайку выводов допускается производить на рас-етоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора не более 5 с Температура пайки не должна превыщать 533 К

При пайке должен быть обеспечен надежный теплоотвод между Местом пайки и корпусом транзистора