Для транзисторов в пластмассовом корпусе изгиб выводов допускается под углом не более 90° в плоскости, перпендикулярной плоскости основания корпуса, и на расстоянии не менее 3 мм от корпуса с радиусом изгиба не менее 1,5 мм

При установке транзистора на печатную плату с шагом координатной сетки 2,5 мм допускается одноразовая формовка выводов с их разводкой для совмещения с монтажными отверстиями (контактами)

При изгибе и формовке выводов необходимо применять специальные шаблоны, а также обеспечивать неподвижность выводов между местом изгиба и корпусом транзистора Кручение выводов вокруг оси не допускается

100 80

"213 100

О 40 80 1201э,мА О 40 80 120 160 20003,8

Зона возможных положений зависимости статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера

Зона возможных положений зависимости статического коэффициента передачи тока от напряжения коллектор-эмиттер

10 8 8 4 2

-I-1-г~1-

КТ605А,КТ605Б,

-КТ605АМ, КТ605БМ

Оцз = 20В f = 20 МГц

О 10 20 30 40 501з,мА О 20 40 60 80 100Г,МГц

Зона возможных положений зависимости модуля коэффициента передачи тока от тока эмиттера

Зависимость модуля коэффициента передачи тока от частоты

"1-\-

КТБ05А , КТБ05Б КТ605АМ,КТ605Ш

f = гмги,

Сэ,пФ SO

го W БО 80 100икБ,в о 1 г 3 ч- 5изв,в

Зависимость емкости коллекторного перехода от напряжения коллектор-база.

Зависимость емкости эмиттерного перехода от напряжения эмиттер-база.

2Т608А, 2Т608Б, КТ608А, КТ608Б

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п переключательные.

Предназначены для быстродействующих импульсных и высокочастотных схем.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса. Масса транзистора не более 2 г.

J0 8-

, База

7 fr

Коппектор Эмиттер

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при (/кб = 5 В, /э = 200 мА: 2Т608А:

при Г = 298 К................25-80

при Г =213 К................10-80

при Т= 398 К................ 25-200

г,5 о

2Т608Б:

при Г = 298 К...............50-160

при 7"= 213 К................20-160

при 7"= 398 К...............50 - 300

КТ608А:

при Г = 298 К...............20-80

при Г = 228 К...............7-80

при Г = 358 К...............20 - 200

КТ608Б:

при Г = 298 К...............40-160

при Г = 228 К...............15-160

при 7"= 358 К...............40 - 350

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при /к = 400 мА,

/б = 80 мА не более...............IB

типовое значение................0,4* В

Напряжение насыщения база-эмиттер при /к = 400 мА, /б =

= 80 мА не более...............2 В

типовое значение ................ 1* В

Время рассасывания прп /«; = 150 мА, /б1 = /б2 = 5 мА

2Т608А, 2Т608Б не более............100 не

типовое значение...............45* не

КТ608А, КТ608Б не более...........120 не

Модуль коэффициента передачи тока при С/кэ=10 В, =

= 30 мА, /= 100 МГц не менее......... 2

типовое значение................4,5*

Емкость коллекторного перехода при 1/=10 В не более .....................15 пФ

типовое значение................8* пФ

Емкость эмиттерного перехода при U-so = О не более . . . 50 пФ Обратный ток коллектора, не более

при Г = 298 К, [/кб = 60 В..........10 мкА

при Г= 398 К, [/кб = 45 В 2Т608А. 2Т608Б.....80 мкА

Обратный ток эмиттера при С/эбо = 4 В не более . , .10 мкА

Предельные экеплуатациоиные данные

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при ЛэБ < 1 кОм: 2Т608А, 2Т608Б:

при Г„ = 213 4- 373 К........... 60 В

при Гп = 398 К.............. 45 В

при Г„ = 423 К............. 30 В

КТ608А, КТ608Б:

при Гп = 228 - 343 К........... 60 В

при 7-„ = 393 К............. 30 В

Импульсное напряжение коллектор-эмиттер при

«ЭБ < 1 кОм, т„ « 10 мкс, е > 2; 2Т608А, 2Т608Б

при Гп = 213 -=- 373 К............ 80 В

при Гп = 398 К.............. 65 В

при 7„ = 423 К.............. 40 В