КТ608А, КТ608Б:

при r„ = 228 - 343 К......... 80 В

при Гп = 393 К............ 40 В

Постоянное напряжение коллектор-база:

2Т608А, 2Т608Б:

при Г„ = 213-г 373 К........... 60 В

при Г„ = 398 К............. 45 В

при Г„ = 423 К............. 30 В

КТ608А, КТ608Б:

при 7-„ = 228 4- 343 К........... 60 В

при Г„ = 393 К............. 30 В

Импульсное напряжение коллектор-база при Ти < Ю мкс, Q>1:

2Т608А, 2Т608Б:

при 7-п = 213 -=- 373 К........... 80 В

при Г„ = 398 К............. 65 В

при Гп = 423 К............. 40 В

КТ608А, КТ608Б-

при Г„ = 228 343 К........... 80 В

при Г„ = 393 К............. 40 В

Постоянное напряжение эмиттер-база........ 4 В

Импульсное напряжение эмиттер-база при т„ < 10 мкс,

2>2................... 8В

Постоянный ток коллектора.......... 400 мА

Импульсный ток коллектора при т„ < 10 мкс, Q> 1 800 мА Импульсный обратный ток эмиттера при т„ < 10 мкс, Q>1................... 2 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 2Т608А, 2Т608Б:

при Г= 213- 323 К........... 0,5 Вт

при Г = 398 К............. 0,12 Вт

КТ608А, КТ608Б:

при Г = 228 298 К........... 0,5 Вт

при Г = 358 К.............. 0,12 Вт

Тепловое сопротивление переход-среда....... 200 К/Вт

Температура перехода:

2Т608А, 2Т608Б.............. 423 К

КТ608А, КТ608Б............. 393 К

Температура окружающей среды:

2Т608А, 2Т608Б.............. 213 - 398 К

КТ608А, КТ608Б.............. 228 - 358 К

Примечание. Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзисторов при температуре пайки не более 533 К в течение 10 с. Допускается изгиб выводов на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора с радиусом изгиба 1,5 - 2 мм. Значение допустимого электростатического потенциала Ие более 1000 В.

0,8 0,6

100 200 500 1к,мА

0,8 0,6

\о,ч

0,2 О

т 200 300 1к,мА

Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от тока коллектора.

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора.

Зависимость емкости коллекторного перехода от напряжения коллектор-база.

2 6 10 140kbo,B

КТ616А, КТ616Б

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п переключательные.

Предназначены для работы в переключающих схемах.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса.

Масса транзистора не более 0,6 г.

Коллектор

Гтатический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при f/кэ = 1 В, /э = 0,5 А не менее:

КТ616А...................40

КТ616Б...................25

Напряжение насыщения коллектор-эмнттер при = 0,5 А,

/g = 0,05 А не более..............0,6 В

Напряжение насыщения база-эмиттер при /к = 0,5 А,

/g = 0,05 А не более..............2 В

Время рассасывания при /к = 0,15 А, = 0,015 А не более:

КТ616А...................50 НС

КТ616Б...................15 НС

Емкость коллекторного перехода при 1/кбо = Ю В не более .....................15 пФ

Емкость эмиттерного перехода при 1/эбо = О не более .... 50 пФ Обратный ток коллектора при (/кво = 10 В не более . . . .15 мкА Обратный ток коллектор-эмнттер при (/кэ = 20 В, Лэб =

= 10 кОм не более...............15 мкА

Обратный ток эмиттера при (/эбо = 4 В не более.....15 мкА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор-эмнттер при

ЛэБ = 10 кОм............. 20 В

Постоянное напряжение коллектор-база..... 20 В

Постоянное напряжение эмиттер-база..... 4 В

Постоянный ток коллектора......... 400 мА

Импульсный ток коллектора при т„ = 80 не,

Q> 10 ................ 600 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:

при Г = 233 ч- 298 К.......... 0,3 Вт

при Г = 358 К............ 0,25 Вг

Тепловое сопротивление переход-окружающая среда .................. 260 К/Вт

Температура перехода........... 423 К

Температура окружающей среды........От 233 до 358 К

Примечание. Пайка выводов допускается на расстоянии не Менее 5 мм от корпуса транзистора паяльником, нагретым до температуры не более 533 К, в течение не более 10 с. Изгиб выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от корпуса Транзистора с радиусом закругления 1,5 - 3 мм. Запрещается кру-•ение вывода вокруг оси.