КТ617А

Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный п-р-п переключа тельный высокочастотный.

Предназначен для работы в переключающих схемах.

Выпускается в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса

Масса транзистора не более 0,84 г.

го ,

Коллектор

База

Змиттер

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим

эмиттером при (/«б = 2 В, /э = 0.4 А не менее .... 30 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при /к = 150 мА,

/б= 15 мА не более..............0,7 В

Модуль коэффициента передачи тока при (/кб = Ю В,

/э=30 мА, /=100 МГц не менее........1,5

Постоянная времени цепи обратной связи при / = 5 МГц,

(/кб = 5 В, /к = 5 мА не более..........120 пс

Емкость коллекторного перехода при (/кбо = Ю В не более .....................15 пФ

Емкость эмиттерного перехода при (/эво = О не более . . . 50 пФ Обратный ток коллектора при (/кбо = 30 В не более . . . .15 мкА Обратный ток эмиттера при (/эбо = 4 В не более.....15 мкА

Предельные экеплуатациоиные данные

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при

ЛэБ = 10 кОм............. 20 В

Постоянное напряжение коллектор-база .... 30 В

Постоянное напряжение эмиттер-база..... 4 В

Постоянный ток коллектора........ 400 мА

Импульсный ток коллектора при т„ = 80 не,

Q > 10 ................ 600 м А

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:

при Г = 233 298 К.......... 0,5 Вт

при Г = 358 К............ 0,3 Вт

Тепловое сопротивление переход-окружающая сре»

да.................. 215 К/Вт

Температура перехода........... 423 К

Температура окружающей среды.......Ог 233 до 358 К

Примечание. Пайка выводов допускается на расстоянии не „ge 5 мм от корпуса транзистора паяльником, нагретым до "мпературы 533 К, в течение не более 10 с. Изгиб выводов опускается на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора с радиусом закругления 1,5-3 мм. Запрещается кручение вывода вокруг оси.

КТ618А

Транзистор кремниевый планарный п-р-п переключагельньш высоковольтный.

Предназначен для работы в переключающих схемах.

Вьшускается в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса.

Масса транзистора не более 2 г.

Коппектор База

Змиттер

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при (/кб = 40 В, /э = 1 мА не менее ....

Модуль коэффициента передачи тока при (/кб = 40 В, /э = 20 мА, /=20 МГц не менее..........

Емкость коллекторного перехода при (/кво = 40 В не более .....................

Емкость эмиттерного перехода при (/эбо = О не более . . .

Обратный ток коллектор-эмигтер при (/кэ = 250 В, Лэб = = 1 кОм не более..............50 мкА

Обратный ток эмиттера при (/эбо = 5 В не более . . . .100 мкА

Предельные эксплуатационные данные

7 пФ 50 пФ

Постоянное напряжение коллекгор-эмиттер при

*ЭБ = I кОм..............

Постоянное напряжение коллектор-база.....

Постоянное напряжение эмиттер-база.....

Постоянный ток коллектора.........

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:

при Г = 323 298 К..........

при Г = 358 К............

Тепловое сопротивление переход-окружающая среда ..............

250 В 300 В

5 В 0,1 А

0,5 Вг 0,325 Вт

200 К/Вт

Температура перехода........... 423 К

Температура окружающей среды.......От 233 до 358 К

Примечание Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора паяльником, нагретым до температуры 533 К, в течение не более 10 с Изгиб выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора с ра-диусом закругления 1,5 - 3 мм Запрещается кручение вывода вокруг оси

КТ630А, КТ630Б, КТ630В, КТ630Г, КТ630Е

Транзисторы кремниевые планарные п-р-п усилительные высокочастотные

Предназначены для усилительных и импульсных схем Вьшускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса Масса транзистора не более 2 г

Ноллентор

Бсьза-

Змиттер

in \ . «о*

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при С/э = Ю В, /к = 150 мА при Г = 298 К

КТ630А.................40-120

КТ630Б.................. 80- 240

КТ630В, КТ630Г..............40-120

КТ630Д................. 80- 240

КТ630Е..................160 - 480

при Г= 398 К

КТ630А................. 40- 240

КТ630Б.................. 80 - 480

при Г= 213 К

КТ630А.................15-120

КТ630Б.................. 30 - 240

Граничное напряжение при /э = 100 мА, t„ < 300 мкс, Q > 200 не менее

КТ630А................ 90 В

КТ630Б................ 80 В

КТ630В................ 100 В

КТ630Г................ 60 В

КТ630Д, КТ630Е............ 50 В

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при /к =

= 150 мА, /б= 15 мА не более....... 0,3 В