1Т308А, 1Т308Б, 1Т308В, ГТ308А, ГТ308Б, ГТ308В

Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные р-п-р универ-utrp высокочастотные маломощные.

Предназначены для работы в автогенераторах, усилителях мощности, импульсных схемах.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе.

Масса транзистора не более 2,2 г.

, * Точка.

зми.ттера

Электрические параметры

Граничное напряжение при /э = 10 мА не менее ... 15 В Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при = = 50 мА, /б = 3 мА не более:

1Т308А, ГТ308А............. 1,5 В

1Т308Б, 1Т308В, ГТ308Б, ГТ308В....... 1,2 В

Напряжение насыщения база-эмиттер при /к = 50 мА,

/б = 1 мА не более.............0,45 В

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при [/кб = 1 В, /э = 10 мА: при Г= 298 К:

IT308A, ГТ308А............ 25-75

1Т308Б, ГТ308Б............50-120

1Т308В, ГТ308В.............80-150

при Т= 343 К:

!Т308А, ГТ308А.........От 25 до 3 значений

при Г = 298 К

1Т308Б, ГТ308Б .........От 50 до 3 значений

при Г = 298 К

1Т308В, ГТ308В.........От 80 до 3 значений

при Г = 298 К

при Г= 213 К не менее:

1Т308А, ГТ308А............. 15

1Т308Б, ГТ308Б............. 30

1Т308В, ГТ308В............. 45

модуль коэффициента передачи тока при /=20 МГц, кб = 5 В, /э = 5 мА не менее:

1Т308А, ГТ308А............. 4,5

1Т308Б, 1Т308В, ГТ308Б, ГТ308В....... 6

Постоянная времени цепи обратной связи при /= 5 МГц, 1/кБ = 5 В, /э=5 мА:

1Т308А, 1Т308Б, ГТ308А, ГТ308Б....... 400 пс

1Т308В, ГТ308В.............. 500 пс

Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при (укБ = 5 В, /э = 1 мА, /= 50 н- 1000 Гц не менее:

1Т308Б, ГТ308Б.............. 15

1Т308В, ГТ308В.............. 25

Коэффициент шума при t/g = 5 В, /э = 5 мА, / =

= 1,6 МГц 1Т308В, ГТ308В не более....... 8 дБ

Время рассасывания при £"!< = 10 В, = 50 мА не более •

1Т308А, ГТ308А при = 4 мА........ 1 мкс

1Т308Б, ГТ308Б при 4 = 2 мА........ 1 мкс

1Т308В, ГТ308В при /5= 1,25 мА....... I мкс

Емкость коллекторного перехода при U = 5 В,

/= 5 МГц не более............. 8 пФ

Емкость эмиттерного перехода при t/gs = В, /= 5 МГц

не более.................. 22 пФ

Обратный ток коллектора не более, при Г= 298 К и Г= 213 К-

при [/«6= 15 в............. 5 мкА

при [/«б = 5В............. 2 мкА

при Г= 343 К, [/кб = 10 В........90 мкА

Обратный ток эмиттера не более:

при [/эб = 2 в............... 50 мкА

при [/эб = ЗВ...............1000 мкА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор-база при отключенном

эмиттере, Г= 213 - 318 К............ 20 В

Постоянное напряжение кол.зектор-база при обратном

смещении на эмиттере, Г=213н-318К....... 30 В

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Лбэ <

< I кОм, Г= 213 - 318 К........... 12 В

Постоянное напряжение коллектор-эмитгер при обратном

смещении на эмиттере, Г=213-318К..... 20 В

Постоянное напряжение эмиттер-база при Г=213 -

-318 К................. 3 В

Постоянный ток коллектора при Г = 213 - 343 К . . . 50 мА Импульсный ток коллектора при т„ < 5 мкс, Г=213-н

-н318 К.................120 мА

Постоянная рассеиваемая мошность коллектора при

Г= 213 - 318 К...............150 мВт

Импульсная рассеиваемая мощность коллектора при

т„<5 мкс, Г= 213-318 К.......... 360 мВт

Температура перехода............. 358 К

Температура окружающей среды.........От 213 до

343 К

Примечания: 1. При Г= 318 -=- 343 К предельно эксплуата-нные данные уменьшаются через каждые 5 К: постоянное и ""пульсное напряжения коллектор-база на I В, постоянное на-""жение коллектор-эмиттер на 0,4 В, постоянное напряжение эмит-йаза на 0,2 В, импульсный ток коллектора на 4 мА, им-

.-еп-база

льсная рассеиваемая мощность на 10 мВт. Постоянная рассеивае-мощность коллектора, мВт, при Г=318-ь 343 В рассчиты-!Ге-гся по формуле

к макс = (358 - Г)/0,25.

При эксплуатации транзистора следует учитывать возможность его самовозбуждения.

2. Разрешается производить пайку выводов на расстоянии не менее 5 мм от корпуса путем погружения в расплавленный припой с температурой 533 К на 10 с.

Изгиб выводов разрещается на расстоянии не менее 3 мм от корпуса с радиусом изгиба не менее 1,5 мм.

500 400 ZOO

Зона возможных положений зависимости постоянной времени цепи обратной связи от напряжения коллектор-база.

Зона возможных положений зависимости постоянной времени Цепи обратной связи от тока эмиттера.

Зависимость статического коэффициента передачи тока и коэф-Ф Циента передачи тока в реме Малого сигнала от тока эмиттера.

ITZOBA-nZOBB -ГТ308А-ГТ308В

ZO 60 90 1г01д,мА 251