Выпускаются в металлостеклянном корпусе на керамической ппате (ТМЗА, ТМЗВ, ТМЗГ, ТМЗД) и с гибкими выводами (МЗА, МЗВ, МЗГ, МЗД)

Обозначение типа транзистора приводится на его корпусе Масса транзистора на керамической тате не бозее 0,8 г, с гибкими выводами не бозее 0,5 г

Электрические параметры

Предетьная частота коэффициента передачи тока при i/iB = 5 В, /э = 1 мА не менее

ТМЗА, МЗА............... 1,0 МГц

ТМЗВ, ТМЗГ, МЗВ, МЗГ.......... 5Q

ТМЗД, МЗД............... 10 о МГц

Постоянная времени цепи обратной связи при {/«б = 5 В, /э = 1 мА, /= 5 МГц не более

ТМЗА, МЗА............... 3,0 не

ТМЗВ, ТМЗГ, ТМЗД, МЗВ, МЗГ, МЗД..... 3,5 не

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при (Укб = 1 В, /3 = 10 мА при Г = 293 К

ТМЗА, МЗА............... 18-55

ТМЗВ, МЗВ............... 20-60

ТМЗГ, МЗГ............... 40-120

ТМЗД, МЗД............... 40-160

при Г= 213 К

ТМЗА, МЗА............... 7 2-55

ТМЗВ, МЗВ............... 8,0-60

ТМЗГ, МЗГ............... 16-120

ТМЗД, МЗД............... 16-160

при Г= 346 К

ТМЗА, МЗА.............. 18-110

ТМЗВ, МЗВ............... 20-120

ТМЗГ, МЗГ............... 40-240

ТМЗД, МЗД............... 40-320

Граничное напряжение при /3 = 5 мА не менее .... 15 В Напряжение насыщения ко тлектор-эмиттер при/ = 10 мА,

/б = 1 мА не бозее............. 0,5 В

Напряжение насыщения база-эмиттер при = 10 мА,

/б = 1 мА не более............. 1,0 В

Время рассасывания при = 10 мА, /=1,5 кГц не

более................... 2,5 мкс

Обратный ток колтектор-эмиттер при 43= 5 В, (Убэ =

= -0,5 В не бозее

при Г = 293 К.............. 20 мкА

при Г = 346 К.............. 150 мкА

Обратный ток эмиттера при [/бэ = 15 В не более .... 20 мк- Емкость коллекторного перехода при [/б = 5 В,/= 5 МГц

не более.................. 35 пФ

Емкость эмиттерного перехода при иэ = 0,5 В,/= 5 МГц

не более.................. 70 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер...... 15 В

Постоянное напряжение коллектор-база...... 15 В

Постоянное напряжение эмиттер-база........ 10 В

Постоянный ток коллектора (эмиттера) при Г=213-

308 К................... 50 мА

Импульсный ток коллектора (эмиттера) при т„ = 10 мкс и средней рассеиваемой мощности, не превышающей

постоянную предельную рассеиваемую мощность ... 100 мА

Постоянная рассеиваемая мощность при Г=213-ь298 К 75 мВт

Тепловое сопротивление переход-среда....... 0,8 К/мВт

Температура окружающей среды......... От 213 до

346 К

0,3 0,2 0,1

О 0,1 о,г 0,1 0,4- o,5Ugj,B о о,г о,ч- о,б о,8 1,ои,в

Входные характеристики.

Входные характеристики.

I Ьг

ъ: 1,0

0,4 0,2

ТМЗА,ТМЗВ-ТМЗД МЗА, МЗВ-МЗД

1,6 1,4

J-10

Зависимость относительного статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера.

5 h/h

Зависимость относительного времени рассасывания от /к б-

Примечания I При Т > 308 К ток коллектора (эмиттера) мА, рассчитывается по формуле

/к(/э)= 7 1/358 2 При Г > 298 К максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность, мВт, рассчитывается по формуле

= (358 - Г)/Лгпс

" OA

ТМЗА,ТМЗВ-ТМЗД МЗА, МЗВ-МЗД

1я =10мА Is = ImaT

213 233 253 213 293 313 Т, К 213 233 253 273 293 313 ЗЗЗТ, К

Зависимость относитетьного статического коэффициента передачи тока от температуры

Зависимость относительного на пряжения насыщения копектор-эмиттер от температуры

МП9А, МПЮ, МП10А, МП10Б, МПП, МП11А

Транзисторы германиевые сплавные п-р-п усилительные низко частотные с ненормированным (МПЮ, МП10А, МПЮБ, МП11 МПIIА) и нормированным (МП9А) коэффициентами шума на частоте I кГц

Предназначены дтя усиления сигначов низкой частоты Выпускаются в металтостекчянном корпусе с гибкилга выводами Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса Масса транзистора не более 2 г

База Эмиттер

Электрические параметры

Предельная частота коэффициента передачи тока при [/«Б = 5 В, /э = 1 мА не менее МП9А, МПЮ, МПЮА, МПЮБ........

1 МГц