2 Ч SB г Ч Е8 2 Ч SB 2 ЧКвьхОм 0,01 0,1 7 Ю

Зависимость относительного напряжения коллектор-эмиттер от сопро-тивления база-эмиттер.

Ч 1 *S 0,1 0,01 0,001

Зависимость обратного тока коллектора от температуры.

213 2S3 293 333 373 Т, К

ГТ309А, ГТ309Б, ГТ309В, ГТ309Г, ГТ309Д,

ГТ309Е

Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные р-п-р усилительные высокочастотные маломощные.

Предназначены для применения в схемах усиления высокочастотных сигналов.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа проводится на корпусе.

Масса транзистора не более 0,5 г

НоллБнтор

Зми,тте,

Предельные эксплуатациоииые данные

Постоянное напряжение коллектор-эмнттер при Лбэ < < 10 кОм................. 10 В

Постоянный ток коллектора........... 10 мА

остоянная рассеиваемая мощность:

при Г = 293 К.............. 50 мВт

при Г = 328 К.............. 15 мВт

емпература перехода............. 343 К

яичная частота коэффициента передачи тока в схеме "Р общим эмиттером при f/кэ =5 В, /э = 5 мА ие

ГЛОдА, ГТ309Б..............120 МГц

ГГ309В, ГТ309Г..............80 МГц

ГТ309Д, ГТ309Е..............40 МГц

Модуль коэффициента передачи тока при (/кэ = 5 В,

/ = 5 мА, /=20 МГц не менее:

ГТ309А, ГТ309Б.............. 6

ГТ309В, ГТ309Г.............. 4

ГТ309Д, ГТ309Е.............. 2

Постоянная времени цепи обратной связи при (/кэ = 5 В, / = 5 мА, / = 5 МГц не более:

ГТ309А, ГТ309Б.............. 500 пс

ГТ309В, ГТ309Г, ГТ309Д, ГТ309Е....... 1000 пс

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при (/кэ = 5 В, /э = 5 мА: при Г = 293 К:

ГТ309А, ГТ309В, ГТ309Д.......... 20-70

ГТ309Б, ГТ309Г, т09Е..........60-180

при Т= 328 К:

ГТ309А, ГТ309В, ГТ309Д..........20-140

ГТ309Б, ГТ309Г, ГТ309Е.......... 60-380

при Г = 253 К:

ГТ309А, ГТ309В, ГТ309Д......... 16-70

ГТ309Б, ГТ309Г, ГТ309Е.........30-180

Входное сопротивление в схеме с общей базой при

(/кБ = 5 В, /з = 1 мА не более.........38 Ом

Выходная проводимость в схеме с общей базой при

(/кб =5 В, /э = 5 мА не более........5 мкСм

Коэффициент шума при (/кэ =5 В, /э = / =

= 1,6 МГц ГТ309Б, ГТ309Г не более....... 6 дБ

Емкость коллекторного перехода при (/кб = 5 В,/ = 5 МГц

не более.................. 10 пФ

Обратный ток коллектора при (/кб = 5 В не более:

при Г = 293 К.............. 5 мкА

при Г = 328 К..............120 мкА

Общее тепловое сопротивление.......... 1 К/мВ

Температура окружающей среды..........От 233

1к,мА

0,1 0,2 0,3 0,4Ugs,B Входные характеристики

10 8 6 Ч

328 К

"213 70

1 2 3 4 51д,мА

Зависимость модуля коэффициента передачи тока от тока эмиттера

0 2 4 6 8 1,мА

Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера

12 10

Зависимость емкости коллекторного перехода от напряжения коллектор-база

ГТ310А, ГТ310Б, ГТ310В, гтзюг, гтзюд,

ГТ310Е

Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные р-п-р усилительные с нормированным коэффициентом шума высокочастотные маломощные

Предназначены для работы в усилителях высокой частоты Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами Обозначение типа приводится на этикетке

Масса транзистора не более 0,1 г