Эмиттер

Коллектор

Электрические параметры

Коэффициент шума при / = 1,6 МГц, (/кб = 5 В, / = 1 мА не более

ГТЗЮА, ГТ310Б.............. 3 дБ

ГТЗЮВ, ГТЗЮГ, ГТЗЮД, ГТ310Е....... 4 дБ

Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при (/кб = 5 в, /э = 1 мА, /= 50 - 1000 Гц-

ГТЗЮА, ГТЗЮВ, ГТЗЮД.......... 20-70

ГТЗЮБ, ГТЗЮГ, ГТ310Е..........60-180

Модуль коэффициента передачи тока при 1/кб = 5 В, /э = 5 мА, /=20 МГц не менее

ГТЗЮА, ГТЗЮБ.............. 8

ГТЗЮВ, ГТЗЮГ.............. 6

ГТЗЮД, ГТЗЮБ.............. 5

Постоянная времени цепи обратной связи при (/кб = = 5 В, /э = 5 мА, /= 5 МГц не более-

ГТЗЮА, ГТЗЮБ, ГТЗЮВ, ГТЗЮГ....... 300 пс

ГТЗЮД, ГТЗЮЕ.............. 500 пс

Входное сопротивление в схеме с общей базой при

(/кб = 5 В, /э = 1 мА не более.........38 Ом

Выходная проводимость в схеме с общей базой при (/кб = 5 в, /э = 1 мА, /= 50 - 1000 Гц не более ... 3 мкСм

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное наиряжение котлектор-эмиттер

при Лбэ = Ю кОм............. 10 В

при Лбэ = 200 кОм............ 6 В

Постоянное напряжение коллектор-база....... 12 В

Постоянный ток коллектора.......... 10 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при

Г= 233 - 308 К...............20 мВт

Тепловое сопротивление переход-среда.......2 К/мВт

Температура перехода............. 348 К

Температура окружающей среды.........От 233 до

328 К

Примечание Максимально допустимая постоянная рассеивае-я мощность коллектора, мВт, при Г = 308 - 328 К определяется "о формуле

к макс = (348 -Л/2.

1Т320А, 1Т320Б, 1Т320В, ГТ320А, ГТ320Б

ГО20В

Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные р-п-р переключ тельные высокочастотные маломощные

Предназначены для применения в схемах переключения и уси ления сигналов высокой частоты.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса.

Масса транзистора не более 2,2 г.

Эмиттер

Комектор

Электрические параметры

Граничная частота при (/кэ = 5 В, /э = 10 мА не менее:

ГТ320А............... 80 МГц

ГТ320Б............... 120 МГц

1Т320А, 1Т320Б, ГТ320А........ 160 МГц

1Т320В............... 200 МГц

Постоянная времени цепи обратной связи прн fkb = 5 В, /э = 5 мА, /= 5 МГц не более 1Т320А, ГТ320А, 1Т320Б, ГТ320Б, IT320B 500 пс

ГТЗ 20В............... 600 пс

Время рассасывания при /киас=10 А, /Биас = = 1 мА не более:

1Т320А, 1Т320Б, 1Т320В........ 200 не

ГТ320А............... 400 нс

ГТ320Б............... 500 нс

ГТ320В............... 600 ис

типовое значение 1Т320А, 1Т320Б, 1Т320В 150* не Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при (/кб = В, /э = 10 мА: при Г= 293 К-

ГТ320А.............. 20-80

ГТ320Б.............. 50-120

ГТ320В.............. 80-250

и 7-= 298 К:

1Т320А.............. 40-100

1Т320Б.............. 70-160

1Т320В.............. 100-250

при Г= 213 К 1Т320А, 1Т320Б, 1Т320В ... От 0,6 до 1,2

значения при Г= 298 К

при Г = 343 К не менее:

1Т320А.............. 40-1,75 значения

при Г = 298 К

1Т320Б.............. 70-1,75 значения

при Г = 298 К

1Т320В..............100-2 значения

при Г= 298 К

Граничное напряжение при Ij= 10 мА не более:

1Т320А.............. 14 В

1Т320Б.............. 12 В

1Т320В.............. 10 В

типовое значение*:

1Т320А . . . .......... 15,5 В

1Т320Б.............. 13,5 В

1Т320В.............. ИВ

Напряжение насыщения коллектор-эмнттер при /к = 200 мА, /б = 20 мА не более:

1Т320А, 1Т320Б, 1Т320В........ IB

ГТ320А, ГТ320Б, ГТ320В........ 2 В

типовое значение 1Т320А, 1Т320Б,

1Т320В............... 0,43* В

Напряжение насыщения база-эмиттер при /к = = 10 мА, /б = 1 мА не более:

IT320A, 1Т320Б, 1Т320В......... 0,45 В

ГТ320А, ГТ320Б, ГТ320В........ 0,5 В

типовое значение для 1Т320А, 1Т320Б,

1Т320В............... 0,3* В

Обратный ток коллектора не более:

1Т320А, 1Т320Б. 1Т320В при Г = 298 К,

С/кБ = 20 В.............. 5 мкА

ГТ320А, ГТ320Б, ГТ320В при Г = 293 К,

1/кб = 20 В.............. 10 мкА

ГТ320А, ГТ320Б, ГТ320В при Г = 293 К,

1/кБ = 5 В.............. 2 мкА

1Т320А, 1Т320Б, 1Т320В при Г = 343 К,

(/кб= 15 В.............. 150 мкА

Обратный ток эмиттера f/эБ = 2 В не более:

1Т320А, 1Т320Б, 1Т320В при Г = 298 К . . . 50 мкА ГТ320А, ГТ320Б, ГТ320В при Г = 293 К . . . 50 мкА Емкость коллекторного перехода при (/кб = 5 В

не более............... 8 пФ

Емкость эмиттерного перехода при (/эб = 1 В не более............... 25 пФ