Постоянное напряжение коллектор-база:

при Г < 318 К.............. 20 В

при Г = 343 К.............. 15 В

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при запертом эмиттере:

при Г < 318 К.............. 20 В

при Г = 343 К.............. 15 В

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Лэб = = 0 1Т320А, 1Т320Б, 1Т320В:

при Г= 213 н- 318 К............ 15 В

при Г = 343 К.............. 10 В

Постоянное напряжение коллектор-эмнттер при Лэб = = 1 кОм: при Г < 318 К:

1Т320А................ 14 В

ГТ320А, 1Т320Б............. 12 В

ГТ320Б................ 11В

1Т320В................ 10 В

ГТ320В................ 9 В

при Г = 343 К:

1Т320А................ 12 В

1Т320Б................ 10 В

IT320B................ 8 В

Постоянное напряжение эмиттер-база:

при Г < 318 К.............. 3 В

при Г = 343 К.............. 2,5 В

Импульсное напряжение коллектор-эмиттер при Лэб = О, Ти < 1 мкс, Q > 10:

при Г < 318 К.............. 25 В

при Г= 343 К . . ........... 20 В

Импульсное напряжение коллектор-эмиттер при запертом эмиттере, т„ < 1 мкс, Q > 10 1Т320А, 1Т320Б, 1Т320В:

при Г = 213 -г 318 К............ 25 В

при Г= 343 К.............. 20 В

Постоянный ток коллектора при Т < 318 К:

1Т320А, 1Т320Б, 1Т320В.......... 200 мА

ГТ320А, ГТ320Б, ГТ320В.........150 мА

при Г = 343 К 1Т320А, 1Т320Б, 1Т320В .... 100 мА Импульсный ток коллектора при < 5 мкс, Q > 10:

при Г < 318 К.............. 300 мА

при Г = 343 К.............. 250 мА

Постоянная рассеиваемая мощность:

при Г=218н-318 К для ГТ320А, ГТ320Б,

ГТ320В................. 200 мВт

при Г= 213- 323 К для 1Т320А, 1Т320Б,

1Т320В................. 200 мВт

при Г = 343 К..............100 мВт

Импульсная рассеиваемая мощность (мгновенное значение) при т„ < 5 мкс, Q> 10:

при Г < 318 К.............. 1 Вт

при Г = 343 К..............0,7 Вт

Обшее тепловое сопротивление для IT320A, 1Т320Б,

1Т320В................. 200 К/Вт

Температура перехода............. 363 К

Температура окружающей среды

1Т320А, 1Т320Б, 1Т320В..........От 213 до

343 К

ГТ320А, ГТ320Б, ГТ320В..........От 218 до

343 К

213 233 253 273 293 313Т,К

50 100 150 200 2501к,мА

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от температуры.

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора.

1,2 1,0

1Т320А-1ТЗгОВ - ГТ320А-ГТ320В -

1,2 1,0

ад 0,8 10,6 :0,4

213 233 253 273 293 313Т,К

О 50 100 150 200 2501к,мА

Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от температуры.

6 = 208

Isi = 40mA Isz = 2DmA

1тз20А-тгов

J Li

213 233 253 273 293 313 TK 213 233 253 273 293 316 J,K

Зависимость времени рассасывания от температуры.

Зависимость времени рассасывания от температуры.

1Т321А, 1Т321Б, 1Т321В, 1Т321Г, 1Т321Д, 1Т321Е, ГТ321А, ГТ321Б, ГТ321В, ГТ321Г, ГТ321Д, ГТ321Е

Транзисторы германиевые конверсионные р-п-р переключательные высокочастотные маломощные.

Предназначены для применения в схемах переключения

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса. Вывод эмиттера на буртике корпуса маркируется цветной меткой.

Масса транзистора не более 2,2 г.

Зпи.ттер

база,

Ноллектар

Электрические параметры

Граничная частота при (/кб=0 В, /э=15 мА

не менее............... 6t МГц

Иостоянная времени цепи обратной связи при (/кБ= 10 В, /э= 15 мА, /= 5 МГц не более: 1Т321А, 1Т321Б, 1Т321В, 1Т321Г, 1Т321Д.

1Т321Е............... 400 ПС

ГТ321А, ГТ321Б, ГТ321В, ГТ321Г, ГТ321Д,

ГТ321Е............... 60в ПС