iT321A-1TJ2k, -ГТ321А - ГТ321Е-

293 303 313 323 333 343 IK 293 303 313 323 333 343 Т/

Зона возможных положений зависимости напряжения насыщения база-эмиттер от температуры

Зона возможных положений зависимости напряжения насыщения коллектор-эмиттер от температуры.

60 50

оо 40

I 30

60 50 40

2 20

О 20 40 60 80 lOORasfiM о 20 40 60 80 ЮОКэвРм

Зависимость максимально допустимого постоянного напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления в цепи база-эмиттер.

Зависимость максимально допустимого постоянного напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления в цепи база-эмиттер.

ГТ322А, ГТ322Б, ГТ322В

Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные р-п-р усилительные с нормированным коэффициентом шума высокочастотные маломощные.

Предназначены для работы в усилителях промежуточной и высокой частот.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Корпус транзистора электрически соединен с дополнительным (четвертым) выводом и может быть использован в качестве экрана. Выводы эмиттера, базы и коллектора электрически изолированы от корпуса транзистора.

Масса транзистора не более 0,6 г.

Корпус 0Z,S

Коллентор \ Эмиттер база,

Обложено под пайку

Электрические параметры

Коэффициент шума при У =1,6 МГц, f/кб = 5 В, /э =

s I мА не более.............. 4 дБ

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при (/«э = 5 В, = 1 мА:

ГТ322А.................30-100

ГТ322Б................. 50-120

ГТ322В.................20-120

Модуль коэффициента передачи тока при У = 20 МГц, =5 В, /э = 1 мА не менее.

ГТ322А, ГТ322Б..............

ГТ322В.................

Постоянная времени цепи обратной связи при /= 5 МГц, (/б = 5 В, /э = 1 мА не более:

ГТ322А.................

ГТ322Б .................

ГТ322В.................

Емкость коллекторного перехода при С/б = 5 В, /= = 10 МГц не более:

ГТ322А, ГТ322Б.............. 1,8 пФ

ГТ322В.................2,5 пФ

Входное сопротивление в схеме с общей базой при f/кэ =5 В, /э=1 мА, /= 50 • 1000 Гц не более ................... 34 Ом

Выходная проводимость в схеме с общей базой при

Uk-3 = 5 В, /э = I мА,/= 50 -j- 1000 Гц не более .... I мкСм Обратный ток коллектора при (/кб =10 В не более:

при Г = 293 К..............4 мкА

при Г = 328 К..............100 мкА

50 пс 100 пс 200 пс

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер: при Г= 233 и 328 К, Лбэ < Ю кОм

ГТ322А, ГТ322В............

ГТ322Б...............

при Г = 293 К. Лбэ= 10 кОм.......

Постоянное напряжение коллектор-база.....

10 В

6 В 15 В

25 В

Постоянный ток коллектора......... 10 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллекгора

при Г = 233 - 298 К.......... 50 мВт

при Г = 328 К............ 10 мВт

Тепловое сопротивление переход-среда..... 0,7 К/мВт

Температура перехода

ГТ322А, ГТ322В............ 335 К

ГТ322Б............... 332 К

Температура окружающей среды....... От 233 до 328 к

110 100 90 80 70

81,мА

Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора

"2« 50

20 10

2 4 6 81,мА

Завнсимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора

248 268 298 318 338 Т, К

Зависимость относительного обратного тока коллектора от температуры

а 2 О

10 10 10 W lOf/n

Зависимость относительного коэффициента шума от частоты

ГТ338А, ГТ338Б, ГТ338В

Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные р-п-р лавинные маломощные

Предназначены для применения в быстродействующих импульсных схемах

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами Обозначение типа приводится на корпусе Масса транзистора не более 1,2 г