О о о о

КТ350А

0,45

Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный р-п-р универсальный высокочастотный маломощный.

Предназначен для переключения и усиления сигналов высокой частоты.

Выпускается в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.

На корпусе наносится условная маркировка двумя точками серого и розового цвета.

Масса транзистора не более 0,3 г.

Электрические параметры

Граничная частота при (/«б = 5 В, /э = 10 мА:

не менее.................МГц

типовое значение.............. 289* МГц

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при (/кб =1 В, /э = 500 мА:

при Г = 298 К.............. 20- 200

типовое значение ............. 70*

при Г = 233 К не менее..........0,5 значения при Т= 298 К

при Г = 358 К .... :.........От 0,9 до

2 значений при Г = = 298 К

Постоянное напряжение коллектор-база и коллектор-эмиттер при Лбэ < 10 кОм....... 20 В

Постоянное напряжение эмиттер-база..... 5 В

Постоянный ток коллектора......... 200 мА

Импульсный ток коллектора........ 300 мА

Постоянная рассеиваемая мощность:

при Г < 303 К............ 300 мВт

при Г = 358 К............ 59 мВт

Импульсная рассеиваемая мощность...... 600 мВт

Температура перехода........... 423 К

Тепловое сопротивление переход - окружающая

среда................ 0,4 К/мВт

Температура окружающей среды.......От 233 до 358 К

1апряжение насыщения коллектор-эмиттер при /« =

5- 500 мА, /б = 50 мА не более........ IB

типовое значение.............. 0,19* В

Напряжение насыщения база-эмиттер при = 500 мА,

/g = 50 мА не более............. 1,25В

типовое значение.............. 0,92* В

Обратный ток коллектора при (/кб = О В не более

при Г = 298 К.............. 1 мкА

при 7"= 355 К............... 15 мкА

Обратный ток эмиттера при (/эб = 4 В не более ... 10 мкА

Емкость коллекторного перехода при (/«б = 5 В не более ................... 70 пФ

типовое значение.............. 12* нФ

Емкость эмиттерного перехода при (/эб = 1 В не более ................... 100 нФ

типовое значение.............. 68* иФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор-база..... 20 В

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при

Лэб < 10 кОм.............. 15 В

Постоянное напряжение эмиттер-база...... 5 В

Импульсный ток коллектора при t„ < 1 мс,

Q> 10 ................ 600 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора

при Г = 233 - 303 К.......... 300 мВт

при Г = 358 К............ 162,5 мВт

Общее тепловое сопротивление....... 400 К/Вт

Температура перехода ........... 423 К

Температура окружающей среды....... От 233 до 358 К

КТ351А, КТ351Б

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные р-п-р универсальные высокочастотные маломощные

Предназначены для переключения и усиления сигналов высокой частоты

Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами

На корпусе наносится условная Маркировка двумя цветными точками На КТ351А - желтой и розовой, на •Г351Б - двумя желтыми

Масса транзистора не более 0,3 г.

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор-база..... 20 В

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при

ЛэБ < 10 кОм.............. 15 В

Постоянное напряжение эмиттер-база...... 5 В

Импульсный ток коллектора при х„ < 1 мс,

е > 10 ................ 400 мА

Граничная частота при (/кб = 5 В, /э = 10 мА не менее ................... 200 МГц

типовое значение.............. 430* МГц

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при [/кб =1 В, /э = 300 мА при Г= 298 К

КТ351А................ 20-80

типовое значение............. 52*

КТ351Б................ 50 - 200

типовое значение............. 70*

при Т = 233 К не менее.......... 0,4 значения при Г = 298 К

при Г = 358 К.............. От 0,9 до

2 значений при Г = = 298 К

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при /к = = 400 мА

КТ351А при /б = 50 мА не более...... 0,6 В

типовое значение.............. 0,35* В

КТ351Б при /б =10 мА не более...... 0,9 В

типовое значение.............. 0,46* В

Напряжение насыщения база-эмиттер при = 400 мА

КТ351А при /б = 40 мА не более....... 1,2 В

типовое значение.............. 0,9* В

КТ351Б при /б= 10 мА не более....... 1,1 В

типовое значение.............. 0,89* В

Обратный ток коллектора при [/б = Ю В не более

при Г = 298 К.............. 1 мкА

при Г = 358 К.............. 15 мкА

Обратный ток эмиттера при С/эб = 4 В не более ... 10 мкА Емкость коллекторного перехода при f/b = 5 В не

более................... 20 пФ

типовое значение.............. 9* пФ

Емкость эмиттерного перехода при Сэб = 1 В не более ................... 30 пФ

типовое значение.............. 20* пФ