стоянная рассеиваемая мощность коллектора-

" при Г = 233 - 303 К........... 300 мВт

при Г = 358 К............. 162,5 мВт

Обшее тетовое сопротивление....... 400 К/Вт

Температура перехода........... 423 К

Температура окружающей среды....... От 233 до 358 К

КТ352А, КТ352Б

Транзисторы кремниевые эпитак-сиально-танарные р-п-р универсальные высокочастотные маломощные

Предназначены для переключения и усиления сигналов высокой частоты

Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами

На корпусе наносится условная маркировка двумя цветными точками на КТ352А - зеленой и розовой, на КТ352Б - зеленой и желтой

Масса транзистора не более 0,3 г

о о о о

Коллектор База Змиттер 0,5

0,35

Электрические параметры

Граничная частота при U = 5 В, /э = 10 мА не

менее................. 200 МГц

типовое значение............. 450* МГц

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при (/«б = В, /э = 200 мА при Г = 298 К

КТ352А............... 25-120

типовое значение............ 65*

КТ352Б............... 70 - 300

типовое значение ........... 115*

при Г = 233 К не менее.........0,3 значения

при Г= 298 К

при Г = 358 К.............От 0,9 до 2

значений при Г = 298 К

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при /к = = 200 мА КТ352А при /б = 20 мА, КТ352Б при

4=3 мА не более............ 0,6 В

типовое значение............. 0,37* В

Напряжение насыщения база-эмиттер при /к = 200 мА КТ352А при /б = 20 мА, КТ352Б при /б = 3 мА не

более................. 1,1 В

типовое значение............. 0,81* В

Обратный ток коллектора при (/кб - В не более

при Г = 298 К............. 1 мкА

при Г = 358 К............. 10 мкА

Обратный ток эмиттера при (/эб = 4 В не более ... 10 мкА Емкость коллекторного перехода при (/кб = 5 В не

более................. 15 пф

типовое значение............. 9,5* пФ

Емкость эмиттерного перехода при (/эб = 1 В не

более................. 30 пф

типовое значение............. 20* пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор-база..... 20 В

Постоянное напряжение коллектор-эмнттер при

ЛэБ < 10 кОм.............. 15 В

Постоянное напряжение эмиттер-база..... 5 В

Импульсный ток коллектора при т„ < 1 мс,

Q> \0 ................ 200 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:

при Г = 233 - 303 К.......... 300 мВт

при Г = 358 К............. 162,5 мВт

Общее тепловое сопротивление........ 400 К/Вт

Температура перехода........... 423 К

Температура окружающей среды.......От 233 до 358 К

КТ357А, КТ357Б, КТ357В, КТ357Г

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные р-п-р универсальные высокочастотные маломощные

Предназначены для работы в схемах переключения и усиления высокой частоты

Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на этикетке

Масса транзистора не более 0,2 г

Эмиттер База

-Коллектор

Электрические параметры

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при/к = ЮмА, /б = 1 мА не более............. 0,3 В

Напряжение насыщения база-эмиттер при /к = Ю мА, /б = 1 мА не более............. IB

тический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при [/кб = 0.5 В, = 10 мА при Г= 298 К

КТ357А, КТ357В.............20-100

КТ357Б, КТ357Г............. 60 - 300

при Т = 358 К

КТ357А, КТ357В............. 20 - 250

КТ357Б, КТ357Г............. 60 - 750

при Г= 233 К

КТ357А, КТ357В............. 8-100

КТ357Б, КТ357Г............. 20 - 300

Модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при /= 100 МГц, (/кэ = 5 В, /к = 10 мА не менее.................. 3

Время рассасывания при /к = 10 мА. /5 = 1 мА не более ................... 150 нс

Емкость коллекторного перехода при (/кб = 5 В, / = 5 МГц не более.................. 7 пФ

Емкость эмиттерного перехода при (/53 = О В не более ................... 10 пФ

Обратный ток коллектора при (кб = кб \ихс не более

при Г = 298 К и Г= 233 К........5 мкА

при Г = 358 К..............40 мкА

Обратный ток эмиттера при иэ = 3,5 В не более ...................-5 мкА

Предельные жсплуатациониые данные

Постоянные напряжения коллектор-база, коллектор-эмнттер

КТ357А, КТ357Б............. 6 В

КТ357В, КТ357Г.............. 20 В

Постоянное напряжение база-эмиттер....... 3,5 В

Постоянный ток коллектора..........40 мА

Импульсный ток коллектора при т„ < 1 мкс,

К.ср < К макс...............80 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Г = 233 - 323 К...............100 мВт

Импульсная рассеиваемая мощность коллектора при Ти < 1 мкс................. 200 мВт

Температура окружающей среды.........От 233

до 358К

Примечания 1 Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт, при Т = 323 - 358 К рассчитывается по формуле

iK макс = 50 + (358 - 71/0,7

2 Пайка выводов допускается иа расстоянии не менее 5 мм °т корпуса транзистора Пайка производится при температуре 533 К в течение 10 с Категорически запрещается кручение вы-