Эмиттер Коппектор

Электрические параметры

Напряжение насыщения коллектор-эмнттер при /к =

= 10 мА, /е = I мА не более........ 0,3 В

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при (/кэ = 0.3 В, /3= 10 мА при Г = 298 К

КТ380А, КТ380В.............30-90

КТ380Б................50-150

при Г= 358 К

КТ380А, КТ380В.............30-180

КТ380Б................ 50 - 300

при Г= 228 К

КТ380А, КТ380В............. 15-90

КТ380Б................25-150

Модуль коэффициента передачи тока при / = 100 МГц,

(/кб = 2 В, /э = 5 мА не менее........ 3

Время рассасывания при /к = 10 мА, /б = не более

КТ380А, КТ380В.............. 10 не

КТ380Б................. 20 нс

Емкость коллекторного перехода при (/кб = 5 В, / =

= 10 МГц не более............. 6 пФ

Емкость эмиттерного перехода при (/кэ = 0 В, / =

= 10 МГц не более............. 8 пФ

Обратный ток коллектора КТ380А, КТ380Б при (/кб = = 10 В, КТ380В при (/кб = 7 В не более

при Г= 228 К и Г= 298 К........ 1 мкА

при Г = 358 К...............10 мкА

Обратный ток коллектор-эмиттер при Лбэ = Ю кОм КТ380А, КТ380Б при (/кэ = 17 В, КТ380В при (/кэ = 9 В не более.............100 мкА

Предельные эксплуатационные даииые

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер прн Лбэ = 10 кОм

КТ380А, КТ380Б..............17 В

КТ380В............... 9 В

стоянное напряжение база-эмиттер..... 4 В

лпгтоянный ток коллектора

"при Г = 298 К............. ЮмА

при Г = 358 К............ 5 мА

. тттьсный ток коллектора при т„ < ЮО мкс.

%l5................. 25 ма

л гтоянная рассеиваемая мощность копектора

„ 7-= 228 - 298 К.......... 15 мВт

при Г = 358 К............ 5 мВт

Импульсная рассеиваемая мощность коллектора при

< 100 мкс, Q> 5............ 50 мВт

Температура перехода........... 373 К

Тепловое сопротивление переход-среда..... 3 К/мВт

Температура окружающей среды....... От 228 до 358 К

Примечания 1 Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт, при Г= 298 - 358 К определяется по формуле

К макс = (373 - 71/ 3

Постоянный ток коллектора при Г = 298 - 398 К изменяется линейно от 10 до 5 мА

2 Минимальное расстояние от места пайки (сварки) до защитного покрытия транзистора должно быть не менее 2,5 мм, при этом нагрев кристалла и защитного покрытия допускается до температуры не более 373 К

Допускается изгиб выводов на расстоянии не менее 0,3 мм от места выхода вывода из защитного покрытия

При включении транзистора в цепь, находящуюся под напряжением, базовый контакт необходимо присоединять первым и отсоединять последним Не рекомендуется экстуатацня транзисторов с отключенной базой по постоянному току

Не рекомендуется работа при токах, соизмеримых с неуправляемыми обратными токами во всем диапазоне температур

Необходимо принимать меры по защите транзисторов от статического электричества

0,2 0,4 0,6 0,8 1Us3,B Входные характеристики

о,г 0,4 0,6 0,8 iUs3,B

Входные характеристики

213 253 293 333 373 Т,К

Зависимость обратного тока коллектора от температуры.

8 12 161 А

Зависимость статического

коэф.

фициента передачи тока от тока эмиттера.

120 100 80 60 40

О 0,2 0,4 0,6 0,8Un3,B

Зависимость статического коэффициента передачи тока от напряжения коллектор-эмнттер.

ё а:

§ 0,15

213 253 293 333 373 Т, К

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от температуры.

5. 0,9

S 0,8

0,7

60 50

од 40 S

S 30

j 20 10 О

10 10 10 104 ioSrOm 10- 10-4 10~ 10Ч01 Ги,с

Зависимость относительного максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер.

Зависимость максимально до пустимой импульсной мощности рассеивания коллектора от длительности импульса.