2Т388А-2, КТ388Б-2

т анзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные р-п-р универ-е высокочастотные маломощные Предназначены для при-\я в импульсных, переключающих и усилительных высоко-"отных схемах герметизированной аппаратуры Бескорпусные, на кристаллодержателе, с гибкими выводами, с итным покрытием Транзисторы поставляются в сопроводитель-" apg с возможностью измерения их параметров без извлече-из тары Обозначение типа приводится на корпусе сопроводительной тары Масса транзистора не более 0,02 г

1,3S 1,5

База.

-ПГ Эмиттер УКоппектор

Электрические параметры

Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при (/«э = 5 В, /« = 30 мА не менее.................. 250 МГц

Постоянная времени цепи обратной связи при С/кэ=10 В, /э = 30 В, /=30 МГц, типовое значение ................... 60* пс

Время рассасывания при /« = 120 мА, /б1 = = 2 мА не более 60 не

Время выключения при /к;=120 мА, = 12 мА, типовое значение..............75* не

Время включения при = 120 мА, /в =12 мА, типовое значение...............30* не

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при (/кэ = В, /э= 120 мА

при Г = 298 К..............25-100

при Г= 398 К.............. 25-200

при Г = 213 К...............10-100

Граничное напряжение при /э = 10 мА...... 50 В

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при /« = = 120 мА, /б = 12 мА не более........ 0,6 В

Напряжение насыщения база-эмиттер при = 120 мА, 4= 12 мА не более............. 1,2 В

Емкость коллекторного перехода при (/«б =10 В, /= 10 МГц не более............. 7 пФ

25 „ф

2 мка

1 мкд

10 мкд

Емкость эмиттерного перехода при (/эб = 0.5 В,

/=10 МГц не более............

Обратный ток коллектора при Об = 50 В не более при Г= 298 К-

2Т388А-2................

КТ388Б-2................

при Г = 398 К..............

Обратный ток коллектор-эмнттер при Uj = 50 В,

Лбэ = 1 кОм не более............2 мкА

Обратный ток эмиттера при [/дБ = 4,5 не более .... 2 мкД

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор-база.......

Постоянное напряжение коллектор-эмнттер при

йбэ < 1 кОм...............

Постоянное напряжение эмиттер-база.......

Постоянный ток коллектора.......... 250 мД

Постоянная рассеиваемая мощность при Rt п-к = 3 К/Вт:

при Г < 353 К..............

прн Г = 398 К.............. 0,055 Вт

Температура перехода............. 408 К

Температура окружающей среды..........От 213 до

398 К

Примечание Минимальное расстояние от места пайки (сварки) вывода до поверхности транзистора 2 мм.

При монтаже должны быть приняты меры, исключающие изгиб выводов на расстоянии менее 0,5 мм от места выхода вывода из защитного покрытия, а также касание выводов и кристалла транзистора. При монтаже не допускается воздействие температуры более 473 К в течение 10 с.

В качестве покрытия транзисторов применяется лак ПАИ-1,. При монтаже не допускается использование материалов, вступающих в химическое и электрохимическое взаимодействие с защитным покрытием и элементами конструкции транзистора.

50 В

50 В 4,5 В

0,3 Вт

60 50 40 30

о 50 100 150 200 2501д,мА

Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера.

"213 120

40 20

О 5 10

Зависимость статического коэффициента передачи тока от напряжения коллектор-эмиттер.

1,0 0,8

0,1 0,2

50 100 150 200 Ii,,ma

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора

BOO 500 400 I? 300 i200 100

2Т388А2,КТ388Б-2

0,1

О 50 100 150 г002501ц,мА

Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от тока коллектора.

600 500 400 1300 J-200 100

50 100 150 200 250Ik,мА О 10 20 30 40 50 ицз,В

Зависимость граничной частоты от тока коллектора.

Зависимость граничной частоты от напряжения коллектор-эмнттер.

5 4 3 2 1

Сз,пФ 18 16 14 12

10 8

Зависи

мость емкости коллекторного перехода от напряжения коллектор-база.

О 10 20 30 40 50 и,,В О

0ЭБ,В

Зависимость емкости эмиттерного перехода от напряжения база-эмиттер.