2Т389А-2, КТ389Б-2

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные р-п-р

версальные высокочастотные маломощные. Предназначены для

при-

менения в импульсных, переключающих и усилительных высоко частотных схемах герметизированной аппаратуры.

Бескорпусные, на кристаллодержателе, с гибкими выводами с защитным покрытием. Транзисторы поставляются в сопроводи тельной таре с возможностью измерения их параметров без извлечения из тары. Обозначение типа приводится на сопроводительно" таре. Масса транзистора не более 0,02 г "

Электрические параметры

Граничное напряжение при /э = 10 мА не менее ... 25 В Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при =

= 200 мА, /б = 20 мА не более......... 0,6 В

Напряжение насыщения база-эмиттер при /« = 200 мА,

/б = 20 мА не более............. 1,2 В

Статический коэффициент передачи тока в схеме с

общим эмиттером при С/кб = В, /э = 200 мА:

при Г = 298 К..............25-100

при Г= 398 К 2Т389А-2 .......... 25-200

при Г=213 К 2Т389А-2..........10-100

Модуль коэффициента передачи тока при (/кэ = 5 В,

/к = 30 мА, /= 100 МГц не менее........ 4,5

Время рассасывания при /к = 200 мА, /б = /б2 = 20 мА не

более .................. 25 нс

Время включения* при /к = 200 мА, /б = 20 мА . . . 15-35 не

\ типовое значение.............. 25 не

Время выключения* при /к = 200 мА, /б = 20 мА . . . 10-60 не

типовое значение.............. 40 не

Постоянная времени цепи обратной связи* при (/кб = Ю В,

/э = 30 мА, /=30 МГц........... 60-180 НС

типовое значение.............. 90 не

Емкость коллекторного перехода при иъ = Ю В,

10 МГц не более............

Емкость эмиттерного перехода при (/эб = 0,5 В,

10 МГц не более............25 пФ

пКпатный ток коллектора при (/«б = 25 В не более:

при Г= 298 К и 213 К..........

при Г = 398 К..............10 мкА

Обратный ток коллектор-эмиттер при иэ = 25 В,

/jgg = 1 кОм не более............

Обратный ток эмиттера при [/эб = 4,5 В не более . . .

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор-база.......

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при

Лбэ < 1 кОм................ 25 В

Постоянное напряжение эмиттер-база....... 4,5 В

Постоянный ток коллектора........... 300 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора в условной микросхеме при Лг п-к = 183 К/Вт:

при Г, = 353 К.............. 0,3 Вт

при Г, = 398 К.............. 0,055 Вт

Температура перехода ............. 408 К

Температура окружающей среды......От 213 до 398 К

Примечание Минимальное расстояние от места пайки (сварки) вывода до поверхности транзистора 2 мм. При монтаже должны быть приняты меры, исключающие изгиб выводов на расстоянии менее 0,5 мм от места выхода вывода из защитного покрытия, а также касание выводов и кристаллодержателя. Не допускается при монтаже воздействие температуры более 473 К в течение 10 с.

В качестве защитного покрытия транзисторов применяется лак ПАИ-1 При монтаже не допускается использование материалов, вступающих в химическое и электрохимическое взаимодействия с защитным покрытием и элементами конструкции транзистора.

10 пФ

мкА мкА

25 В

"213 100

о 50 100 150 гоо 1з,мА

Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера

100 80 60 W

5 10 15 20 25Uk3,B

20 О

Зависимость статического коэффициента передачи тока от напряжения коллектор-эмиттер.

1,2 1,0 0,8

zo,B

1о,9

0,8 0,7

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора

о 50 100 150 200 2501,мА

Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от тока коллектора

\ 500

"400

300 200

О 50 100 150 200 250 Iff,мА О 5 10 15 20 25 Окэ,В

Зависимость граничной частоты от тока коллектора

Зависимость граничной частоты от напряжения коллектор-эмиттер

12 10

О 5 10 15 20 25Uifg,B

Сз,пФ 18

16 14 12 10 8

О 1 2 ОзБ,В