тоянная рассеиваемая мощность........100 мВт

Температура р-п перехода........... 358 К

Температура ркружающеи среды.........От 213 до

I Значения параметров

343 К приведены для

Примечания 7.= 213-318 К

[Три Г= 318 - 343 К значения параметров уменьшаются через каждые 5 °

С/кэк иа 1 В, [/кэх на 1 В, (/кэя на 0,4 В, г/эв макс на 0 2 В, /к и макс на 4 мА, Р„ „акс на 10 мВт

2 При Г= 318 - 343 К максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт, рассчитывается по формуле

к макс = (358 - Г)/0,4, а при р = 665 Па она уменьшается на 30 %

127.1

1 1,1 0,8

0,7 0,6

о 10 20 J0 40 501э,мА О 4 8 12 16 20Ц,мА

Зависимость относительного коэффициента передачи тока в режиме малого сигнала от тока эмиттера

Зависимость модуля коэффициента передачи тока от тока эмиттера

0,7 0,6 0,5 0,4

10° 10 10 10 10* 10%з,0м

12 16 20 01,В

Зависимость относительного пробивного напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер

Зависимость емкости коллекторного перехода от напряжения коллектор-база

"213

240 200 160 120

80 40

213 233 253 273 293 313 Т,К

Зависимость коэффициента передачи тока в режиме малого сигнала от температуры.

%0,4

0,3 213 23

3 253 273 293 313 ЗЗЗТ,к

Зависимость напряжения насыщения эмиттер-база от температуры.

П417, П417А

Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные р-п-р усилительные высокочастотные.

Предназначены для применения в усилительных и генераторных каскадах высокой частоты.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса. Вывод эмиттера на боковой поверхности корпуса маркируется цветной меткой.

Масса транзистора не более 2 г.

Эмиттер - Коллектор База

Электрические параметры

Граничная частота при (/«б =5 в, /э = 5 мА ие

менее................. 200 МГц

Постоянная времени цепи обратной связи при

f/кБ = 5 в, /э = 5 мА, / = 5 МГц не более ... 400 пс Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при (/кб = 5 в, /э = 5 мА, /= 50 ~ 1000 Гц: при Г = 293 К:

П417................ 24-100

П417А................ 65-200

при 7-= 343 к:

П417................ От 24 до

3 значений при Г = 293 К

П417А...............От 65 до

3 значений при Г = 293 К

лри Г=213 К.............1-0,4 значения

при Г = 293 К

Входное сопротивление в режиме малого сигнала при i/g = 5 В, /э = 5 мА, /=50 + 1000 Гц не более 10 Ом

Выхолная полная проводимость в режиме малого сигнала при Us = 5 В, /э = 5 мА, / = 50 + 1000 Гц не более................ 10 мкСм

Обратный ток коллектора при (/кб = В не более:

при Г = 293 К.............. 3 мкА

при Г = 343 К............. 70 мкА

Обратный ток эмиттера при (/эб = 0,5 В не более 30 мкА

Граничное напряжение при (/«б = 8 В, /э = 5 мА не менее................ 8 В

Емкость коллекторного перехода при (/кб = 5 В, /= 5 МГц не более........... 5 иФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер: при отсоединенной базе:

при Г = 213 -н 303 К.......... 8 В

при Г = 343 К............. 4 В

при короткозамкнутых выводах эмиттера и базы 10 В

Постоянное напряжение эмиттер-база....... 0,7 В

Постоянный ток коллектора.......... 10 мА

Постоянная рассеиваемая мощность:

при Г = 213 + 333 К........... 50 мВт

при Г = 343 К............. 30 мВт

Температура окружающей среды........ От 213

до 343 К

Зависимость относительного ко-фициента передачи тока в режиме малого сщнала от напряжения коллектор-база.

0 2 4 6 8Uifs,B 305