.„и Гп = 358 к.............. 40 В

S = 393 К.............. 25 В

оянное напряжение эмиттер-база при Т„ = 228 -

343 К

КТ620А................\ ЗВ

КТ620Б................. 4 В

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Г, = 298 К

КТ620А................ 225 мВт

КТ620Б................ 500 мВт

при Гк = 358 К

КТ620А................ 75 мВт

КТ620Б................ 100 мВт

Тепловое сопротивление переход-окружающая среда

КТ620А................. 0,4 К/мВт

КТ620Б................. 0,15 К/мВт

Температура перехода............. 393 К

Температура окружающей среды......... От 228

до 343 К

Раздел пятый

ТРАНЗИСТОРЫ МАЛОМОЩНЫЕ СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ

п-р-п

2Т306А, 2Т306Б, 2Т306В, 2Т306Г, КТ306А, КТ306Б, КТ306В, КТ306Г, КТ306Д

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п переключательные маломощные и СВЧ усилительные с ненормированньпи коэффициентом щума

Предназначены для переключения (2Т306А, 2Т306Б, КТ306А, КТ306Б) и усиления сигналов высокой частоты (2Т306В, 2Т306Г, КТ306В, КТ306Г, КТ306Д)

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами Обозначение типа приводится на крыщке корпуса

Масса транзистора не более О 65 г

Коллектор

Эмиттер

Граничная частота при (/кб =5 В, /э = 10 мА:

2Т306А, КТ306А, 2Т306В, КТ306В не менее .... 300 МГц

типовое значение.............. 500* МГц

2Т306Б, КТ306Б, 2Т306Г, КТ306Г ие менее .... 500 МГц

типовое значение.............. 650* МГц

КТ306Д не менее.............. 200 МГц

Постоянная времени цепи обратной связи при (/кб = 5 В, /э= 5 мА, /= 10 МГц:

2Т306В, КТ306В, 2Т306Г, КТ306Г не более .... 500 пс

типовое значение.............. 60* пс

КТ306Д не более............. 300 пс

Коэффициент шума* при (/кБ = 5 В:

при /э = 0,5 мА, /= 1 кГц не более . ..... 30 дБ

типовое значение.............. 12 дБ

при /э = 1 мА, /=90 МГц не более..... 8 дБ

типовое значение.............. 5 дБ

Время рассасывания при /кнас= О мА, /51 = 1 мА, /б2=1,2 мА, Лк = 75 Ом 2Т306А, 2Т306Б, КТ306А,

КТ306Б не более.............. 30 не

типовое значение.............. 15* не

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Як = О, /э = Ю мА: при Г= 298 К:

2Т306А, КТ306А............. 20-60

2Т306Б, КТ306Б............. 40-120

2Т306В, КТ306В............. 20-100

2Т306Г, КТ306Г............. 40-200

КТ306Д................ 30-150

при Г= 213 К

2Т306А................ 8-60

2Т306Б................ 16-120

2Т306В................ 8-100

2Т306Г................ 16-200

при Г= 398 К

2Т306А................ 20-120

2Т306Б................ 40 - 240

2Т306В................ 20-200

2Т306Г................ 40-400

Граничное напряжение при /3= 1 мА не менее:

2Т306А, КТ306А, 2Т306В, КТ306В........ 10 В

2Т306Б, КТ306Б, 2Т306Г, КТ306Г....... 7В

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при = = 10 мА, /б=1 мА 2Т306А, 2Т306Б, КТ306А,

КТ306Б не более.............. 0,3 В

типовое значение.............. 0,2* В

Напряжение насыщения база-эмиттер при /к =О А,

/б = I мА 2Т306А, 2Т306Б, КТ306А, КТ306Б не более 1 В

типовое значение.............. 0,9* В

Обратный

при при

ток коллектора при 0=15 В не более: Г= 298 К

Г = 298 К.............. 0,5 мкА

Г = 398 К 2Т306А, 2Т306Б, 2Т306В, 2Т306Г 10 мкА Обратный ток эмиттера при Г = 298 К, t/эб = 4 В

g более................. I мкА

дное сопротивление в схеме с общей базой в режиме малого сигнала при U = 5 В, /э = 5 мА, кГц 2Т306В, КТ306В, 2Т306Г, КТ306Г. КТ306Д

не более.................. 30 Ом

типовое значение.............. 8* Ом

Емкость котлекторного перехода при (/«б = 5 В не

более................... 5 пФ

типовое значение.............. 3* пФ

Емкость эмиттерного перехода при (Уэб = О не более 4,5 пФ

типовое значение . . ........... 3* пФ

Емкость конструктивная между выводами коллектора

и эмиттера*................ 0,55 пФ

Индуктивность выводов эмиттера и базы* при /= 10 мм 11 нГн

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение кочлектор-база....... (5 В

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Лэб <

< 3 кОм................. 10 В

Постоянное напряжение эмиттер-база........ 4 В

Постоянный ток коллектора........... 30 мА

Постоянный ток коллектора в режиме насыщения .... 50 мА Постоянная рассеиваемая мощность 2Т306А, 2Т306Б, 2Т306В, 2Т306Г

при Г= 213 - 363 К, /. > 6650 Па...... 150 мВт

при Г= 213 - 363 К, р = в65 Па...... 100 мВт

при Г = 398 К.............. 75 мВт

КТ306А, КТ306Б, КТ306В, КТ306Г, КТ306Д:

при Г= 213 - 363 К........... 150 мВт

при Г = 398 К.............. 60 мВт

л 0,9

> 0,8

0,6 0,5

" ш си ои tU DUiJ,

0,9 [0,8 0,7 0,6 0,5

J,.....

Зависимость относительной граничной частоты от тока эмиттера.