Считают, что сопротивление эмиттера Гэ составляет половину диффузионного сопротивления эмиттера Гэ д

Гэ=0,5гэ д

С учетом (33) это предпочожение дает

13(0 4 ча)

где /э -ток эмиттера в выбранной рабочей точке (в миллиамперах)

Из (34) находим

г=Гэ(Р+1) (36)

Понятие о выходной проводимости транзистора позволяет упростить формулы динамических коэффициентов передачи тока Действительно, подставляя значение параметра

в формулу (7) для определения ад, получим

Аналогично для схемы ОЭ можно найти*

22ЭАН

(38)

Пример 1 Определить параметры Гэ, б, /223 и /выхэ транзистора типа МП40 для режима 7к э = -5 в, /э=1 ма, если в справочнике для этого же режима указаны параметры р = 20 -40 /1226 = 3 3 мкмо и гб = 220 ом

Решение В качестве расчетного значения коэффициента передачи (усиления) тока р здесь и в дальнейшем будем принимать среднее геометрическое минимального и максимального значений, указываемых в справочнике

По формулам (29), (31) (35) и (36), приняв = У20 40 = 28, найдем:

/i223=/i226 (Р+1)=3 3(28+1) 100 мксим,

Гвых 3=l i223= 1/100 1 0-в=10 ком,

13 13 г=7=-=13 ом,

гб=Гэ(Р+1) = 13(28+1) 380 ом

По формуле (1)

Гб=/б + г"б = 220 + 380 = 600 0 4

Пример 2 Для того же транзистора найти динамический коэффициент передачи тока и входное сопротивление в схеме ОЭ пр» Rk=1 ом 16

Решение По формуле (38)

РД- 1+/22Л 1+0.1 10- 10

По формуле (26)

?.хэ = /-б+(рд+1)гэ = 600+(25+1)13940 ом

7 ПРИМЕР РАСЧЕТА

Применим понятие о динамических коэффициентах передачи то ка к расчету коэффициента передачи напряжения двухкаскадного усилителя на транзисторах типа МП40, включенных по схеме ОЭ (рис 8), если i?Ki = K2=10 ком, i?6i=/?62=0,6 Мом, а сопротивление Rk2 служит сопро тивлением нагрузки усилителя

Для решения задачи составляем показанную на рис 9 эквивалентную схему усилителя по переменному току для средних частот звукового д-апазона Со противления i?6i и /?б2 на схеме отсутствуют, так как их шу-тпрующим действи ем по отношению к вход ным сопротивлениям тран зисторов можно пренебречь

По10жительные направления вводного и выходного тока каждого транзистора выбираем в соответствии с рис 6 б

Рассматривая эквивалентную схему, устанавливаем следующие зависимости между напряжениями и токами в ней

Рис 8 Схема уситителя к примеру расчета

Рис 9 Эквивалентная схема усилителя к примеру расчета

Ток базы первого транзистора /б1 возникает под действием вход ного напряжения Uii

где i?Ti -входное сопротивление первого транзистора 3-799

Ток коллектора первого транзистора /к1 равен току базы, умноженному на динамический коэффициент передачи тока:

/К1 = Р1Д/

(40)

Этот ток разветвляется между сопротивлением Rki и входным сопротивлением второго транзистора Rt2, обратно пропорционально значениям этих сопротивлений.

Ток в сопротивлении /?т2 (входной ток второго транзистора) получается равным:

/-.. (41)

(Наличием сопротивления /?б2 в эквивалентной схеме можно пренебречь, так как /?б2>к1т2, и шунтирующее действие его незначительно. При сравнительно малой величине Rq2 в формулу следовало бы вместо Rk\ подставить значение сопротивления, эквивалентного iKi и i?62, соединенным параллельно.).

>-Н2Г

в предыдущей формуле токи /rt2 и /к1 имеют одинаковые знаки. Иными словами, предполагается, что положительные направления обоих токов совпадают, т. е. оба тока направлены к транзистору Гь В то же время положительное направление тока базы второго транзистора по эквивалентной схеме противоположно положительному направлению тока JЭто обстоятельство можно отразить с помощью уравнения:

Рис. 10. К выбору знака в формуле закона Ома.

(42)

Наконец, ток коллектора второго транзистора определяется формулой

/к2 = Р2д/б2, (43)

а напряжение на нагрузке - формулой

f/2 = - /к2/?К2.

(44)

Объясним появление знака «минус» в последней формуле. Записывая закон Ома для участка цепи с сопротивлением R в виде формулы

/

считают, что положительное направление тока совпадает с положительным направлением напряжения на участке, как показано на рис. 10,а.

(На этом рисунке стрелка О направлена от точки с высшим потенциалом к точке с низшим.)