![]() | |
НПО Системы Безопасности (499)340-94-73 График работы: ПН-ПТ: 10:00-19:00 СБ-ВС: выходной ![]() ![]() |
Главная » Периодика » Безопасность 0 ... 73747576777879 ... 233 встречающихся полупроводниковых устройств: диодов, биполярных транзисторов, полевых канальных транзисторов, полевых транзисторов с барьером Шоттки и МОП-транзисторов. Программа моделирования включает также большое количество файлов моделей, которые определяют поведение специфических экземпляров перечисленных устройств. Эти файлы моделей обычно имеют расширение .MDL. Программа моделирования также поддерживает описания более сложных устройств, таких, как операционные усилители, стабилизаторы, генераторы синхроимпульсов, кварцевые генераторы и т. д., используя иерархический синтаксис описания подсхем. Подсхема cocTorfr из элементов программы SPICE, которые описываются аналогично моделям простых элементов. Не существует никаких ограничений на размер и сложность подсхем, и одна подсхема может содержать другую. Каждая подсхема определяется в специальном файле с расширением .СКТ, который также часто обозначается термином "модель". Описания устройств Для дискретных компонентов (таких, как резисторы) для ссылки на конкретную модель элемента используется поле Part Туре. Для недискретных компонентов (операционные усилители и т. д.) содержимое этого поля нужно изменить и вписать туда ссылку на какую-либо другую модель. Резисторы (Resistors) Кроме стандартных резисторов программа моделирования поддерживает также полупроводниковые резисторы. Они позволяют оценить сопротивление как функцию геометрического представления резистора и задать температуру, в которой будет функционировать устройство. Символы резисторов находятся в библиотеке символов элементов для моделирования, которая располагается в библиотечной базе данных по адресу \Program Files\Oesign Explorer 99 SE\Library\Slm\Sim.ddb. Атрибуты резисторов даны в таблице 4.23. Таблица 4.23
# Эти опции имеют значения по умолчанию и устанавливаются только по необходимости. Конденсатор (Capacitor) Кроме стандартных конденсаторов, программа моделирования поддерживает также полупроводниковые конденсаторы. Они позволяют промоделировать емкость как функцию геометрического представления конденсатора и установить начальное значение емкости. Символы конденсаторов находятся в библиотеке символов элементов для моделирования, которая располагается в библиотечной базе данных по адресу \Program FiiesVDesign Explorer 99 SE\Library\Sim\Sim.ddb. Атрибуты конденсаторов даны в таблице 4.24. Таблица 4.24
# Эти опции имеют значения по умолчанию и устанавливаются только по необходимости. Катушка индуктивности (Inductor) Символы катушки индуктивности находятся в библиотеке символов элементов для моделирования, которая располагается в библиотечной базе данных по адресу \Program FiiesVDesign Explorer 99 SE\Library\Sim\Sim.ddb. Атрибуты катушки индуктивности представлены в таблице 4.25. Таблица 4.25
Связанные катушки индуктивности (Coupled Inductors) Катушки индуктивности могут быть связаны с помощью стандартного синтаксиса описания связанных устройств для программы SPICE. Этот процесс описан в подразделе Включение дополнительной SPICE информации в список соединений раздела Подготовка и проведение моделирования. Диод (Diode) Символы диода и стабилитрона находятся в библиотеке \Program FiiesVDesign Explorer 99 SE\Library\Sim\Diode.ddb. Атрибуты стандартного диода представлены в таблице 4.26. Таблица 4.26
# Эти опции имеют значения по умолчанию и устанавливаются только по необходимости. Транзисторы Биполярный (BJT) Модель для такого транзистора основана на модели Гаммеля-Пуна (Gummel-Poon) с интегральным законом заряда. Однако если ряд параметров для модели Гаммеля-Пуна не заданы, то она упрощается до модели Эберса-Молла (Ebers-Moll). Символы биполярных транзисторов находятся в библиотеке \Program Files\Design Explorer 99 SE\Library\Sch\Sim\Bjtlib. Атрибуты транзистора представлены в таблице 4.27. Таблица 4.27
# Эти опции имеют значения по умолчанию и устанавливаются только по необходимости. Полевой транзистор с управляющим р-п переходом (JFET) Эта модель основана на модели канального транзистора Шихмана-Ходжеса (Shich-man-Hodges). Символы транзистора этого типа находятся в библиотеке \Program Files \Des-ign Explorer 99 SE\Library\Sim\Sim.ddb. Атрибуты транзистора представлены в таблице 4.28. Таблица 4.28
0 ... 73747576777879 ... 233 |