диода, смещенного в область минимума вольтамперной характеристики. При выполнении требования

Р 2nVLsC проводимость диода равна

(13.8)

(13.9)

Рис. 13.15. Блок-схема прибора для измерения сопротивления потерь импульсным методом:

/"Г-генератор-модулированных по амплитуде импульсов тока (частота следования импульсов F„ = 50 «гц, частота модуляции 2 кгц): ИД -испытываемый диод; -калибровочный резистор; ФЯ -фильтр нижних частот: СУ -селективный усилитель.

Поскольку обычно

сй,С,л,«1, то

Откуда

f КСВН

(13.10)

где W - волновое сопротивление измерительной линии.

Поскольку процесс измерения трудоемок, а величина незначительно отличается от результата измерения на низкой частоте, обычно ограничиваются измерением этого параметра импульсным методом.

13.11. ИЗМЕРЕНИЕ ЕМКОСТИ ТУННЕЛЬНОГО ДИОДА

Обычно измеряют общую емкость диода, равную сумме , емкостей корпуса и перехода. Так как активная проводимость туннельного диода велика, то целесообразно изме-i, рять его емкость в одной из экстремальных точек, где дифференциальной активной проводимостью диода (при изме-* рении на малом сигнале) можно пренебречь.

10 Мгц

Рис. 13.16. Блок-схема прибора для измерения емкости туннельных

диодов:

ГВч - генератор высокой частоты; С- - калибровочный конденсатор; Д - испытываемый диод; СУ - селективный усилитель; Я -выходной индикаторный

прибор.

Для измерения емкости туннельного диода может быть использован любой из методов, применяемых обычно для измерения емкости диодов, как резонансный, так и метод емкостно-омического делителя, рассмотреный в гл. 2. Здесь еще более жестко должно выполняться требование к величине высокочастотного сигнала, подаваемого на диод, так как в противном случае резко возрастает погрешность измерения.

Блок-схема прибора для измерения емкости туннельных диодов и использующего метод емкостно-омического делителя, изображена на рис. 13.16. Напряжение высокой частоты подается на измеряемый диод через делитель Ri, Rz. Напряжение, пропорциональное емкости измеряемого диода, подается на селективный усилитель с одного из резисторов, подключаемых к диоду ИД переключателем Я}.Смещение

на диод подается через индуктивность L, настраиваемую в резонанс с входной емкостью усилителя, и дроссель Цр с низкоомных многооборотных потенциометров Rs, R, которые вместе с батареей Б образуют генератор тока смещения.

Поскольку измерение емкости диодов производится при малом уровне сигнала на диоде (0,5 - 1 мв), сигнал на входе усилителя не превышает 50 - 100 мкв, поэтому усилитель должен иметь высокую чувствительность и низкий уровень шумов. Паразитная емкость держателя диода должна быть малой. Калибровка прибора (переключатель Пг в позиции 1) осуществляется подключением эталонного конденсатора Ск- После этого включают испытуемый диод и переключателем Ui выбирают предел измерения, соответствующий ожидаемой величине емкости диода. На диод подается напряжение смещения. Когда рабочая точка находится в экстремуме вольтамперной характеристики, показание выходного прибора И минимально, так как отсутствует активная проводимость диода. Острота минимума зависит от плавности регулировки смещения. Минимальное значение показаний выходного прибора соответствует емкостной проводимости диода, причем первый минимум показаний соответствует емкости в точке Up второй - в точке и,..

13.12. СОБСТВЕННАЯ ИНДУКТИВНОСТЬ ТУННЕЛЬНОГО ДИОДА И ЕЕ ИЗМЕРЕНИЕ

Методика измерения этого параметра заключается в следующем. На конце измерительной коаксиальной линии в качестве нагрузки устанавливают так называемый «безындуктивный эталон диода» - металлическую, деталь, по форме и размерам в точности соответствующую форме и размерам диода, - фиксируют положение минимума стоячей волны. Затем вместо безындуктивного эталона включают испытуемый туннельный диод. На него в обратном направлении подается достаточно большое смещение по постоянному току и замечается новое положение минимума стоячей волны. Если частота измерительного сигнала достаточно низка, так что влиянием паразитной емкости корпуса диода можно пренебречь, а КСВ большой (>5), то смещение минимума стоячей волны Д/ при замене «безьшдуктивного эталона» на испытуемый диод определяется, как показывает анализ,