только величиной собственной индуктивности. Если, кроме этого, Д/ > X, где X - длина волны измерительного сигнала, то собственная индуктивность рассчитывается по-формуле

й L,= Al. - (13.11)

Здесь Wo - волновое сопротивление линии; С - скорость света.

Впервые данный способ был использован В.Л. Ароно-

Бым при измерении Ls параметрических диодов. Для туннельных диодов измерения рекомендуется проводить при помощи измерительной линии ИКЛ-112 на частоте 2 Ггц при токе смещения 20 - 40 ма.

t 13.13. НАДЕЖНОСТЬ ТУННЕЛЬНЫХ ДИОДОВ

[, Характерной особенностью туннельных диодов среди остальных классов полупроводниковых приборов является своеобразный механизм изменения их электрических параметров при длительной работе, получивщий название деградации. Внещне эффект деградации проявляется как монотонное и необратимое уменьщенне пикового тока /р при сопутствующем увеличении или уменьщении тока минимума и уменьшении напряжения раствора f/f. Это явление наблюдается лишь при положении рабочей точки на второй восходящей ветви вольтамперной характеристики, и его

- интенсивность резко возрастает с увеличением протекающего через диод тока, а также при повышении температуры окружающей среды.

Экспериментально были установлены максимально допустимые режимы применения туннельных диодов, при соблюдении которых скорость деградационных изменений параметров пренебрежимо мала. Для характеристики допустимых режимов используется коэффициент нагрузки К, представляющий собой отношение рабочего .тока /раб к емкости диода Сд. Максимально допустимое значение этой

величины /Смаке

получило название коэффициента безопас-

ной работы.

В табл. 13.5 даны значения коэффициентов безопасной работы для различных условий применения арсенидогал-лиевых диодов [30-32]. Для более устойчивых в деграда-

ЦИОННОМ отношении германиевых диодов величина /Смаке

составляет 6 ма/пф в статическом режиме работы и 3 ма/пф в переключающем, что позволяет применять такие диоды в импульсных схемах практически без ограничения уровня тока.

Таблиц а 13.5

Значения коэффициентов безопасной работы для туннельных диодов из арсенида галлия

Условия работы . I

ЛИТЕРАТУРА

1. Е S а к i L. New phenomenon in narrow germanium p-n junctions. Phys. Rev., 1958, v. 109, № 2, p. 603.

2. К a n e E. O. Theory of Tunneling. J. Appl. Phys., 1961, V. 32, № 1, p. 83-91.

3. Туннельные дноды. Сб. статей, под ред. В. И. Фистуля. Изд-во иностранной литературы, 1961.

4. Б о н ч-Б р у е в и Ч В. Л., Сер-ебряников П. С. О вольтамперной характеристике туннельного диода, «Радиотехника и электроника», 1963, т. 8, № 6, № 8, № 12, стр. 1002- 1008, 2041-2053.

5. Ковалев А. И., С к вор нов а Н. Е. Влияние легирования германия на основные радиотехнические параметры туннельных диодов, «Радиотехника и электроника», 1963, т. 8, № 6, стр. 1009-1018.

6. Meyerhofer D. et al. Degenerative germanium. 1. Tunnel, excess and thermal current in tunnel diodes, Phys, Rev, 1962, V. 126, № 4, p. 1-329.

7. С 1 a s s e n R. S. Excess and Hump Current in Esaki Diodes. J. Appl. Phys, 1961, V. 32, № 11, p. 3272.

8. В о p о H e H к о В. П., Ков а лев А. Н. Исследование особенностей усилителя на туннельном диоде. «Радиотехника и электроника», 1965, т. 10, № 3, стр. 449.

9. Chow W. F. Tunnel diode digital cirquitry. IRE Trans, on Electronic Computers, 1960, v. EC-9, № 3.

10. Folmer W. C. Proc IRE, 1961, v. 49, № 12, p. 1939.

п. Кононов Б. Н., Сидоров А. С. Туннельные диоды и их применение в триггерах. В сб. «Полупроводниковые приборы и их применение», под ред. Федотова Я. А., вып. 7. Изд-во «Советское радио», 1961.

12. (Туннельные диоды и их применение в схемах переключения и в устройствах СВЧ диапазона». Изд-во «Советское радио», 1965.

13. D е г m i t G. High-Frequency power in tunnel diodes. Proc. IRE, 1961, V. 49, № 6, p. 1033.

14. D e г m i t G. Tunnel-diode power. -Solid State Electr., 1961, V. 3, № 3/4, p. 208.

15. О g n e у H. Analysis of the frequency and power perfomances of tunnel diode generation. IEEE Trans., 1963. v. MTT-11, № 5.

. p. 412.

16. Л о г у H о в Л. А., Р у д н е в а Н. К., Черняк Е. Б. Обращенные диоды. «Радиотехника и электроника», 1964. т. 9, № 7, стр. 1258-1269.

17. К а г 1 о V S к у J., М а г е к А. Чех. физ. журн., 1961, В 11.

18. S m i 1 е п, Y о и 1 а. Stability criteria for tunnel diodes. Proc IRE, 1961, № 7,-p. 1206.

19. D a V i d s о n Z. Optimum Stability criterion for tunnel diodes shunted by resistance and capacitance. Proc. IEEE, 1963, V. 51, № 9, p. 1233.

20. Nelson В., Masens R. Electro - Technology, 1964, V. 73, № 6, p. 52.

21. Cr u e n b er g. Proc. IEEE, 1964, v. 52, № 6, p. 733.

22. Markowski J. Proc. IEEE, 1964, v. -52, № 6, p. 714.

23. T о d d C. D-. IRE Trans, on Instrumentation, 1961, v. 1, № 2. p. 57.

24. Hartmann H. J.. Michelisch M., S t e i n h a u-ser W. Archiv der electrischer Cbertrag, 1961, Bd. 15, H. 3.

25. Воронцов Ю. И., Петров В. М., Ржевкин К. С. В сб. «Полупроводниковые приборы и их применение», под ред. Я. А. Федотова, вып. 7. Изд-во «Советское радио», 1961.

26. Руководство по применению туннельных диодов фирмы General Electric, 1961.

27. G о о d m а п п А. М. А Test set for displaying the V-1 chara-ctericstic of a tunnel diode. Rev. Scient. Instr., 1960, March.

28. H о V a r d Card. Bridge measurement of tunnel diode parameters. IRE Trans, on Electr. Devices, 1961, № 3.

29. W i 1 f i n g e r R. 1., Z о 1 о t a r B. A. The Revew of Scientific Instr., 1962, V. 33, № 9, p. 951.

30. L о n g i n i R. L. Rapid zinc diffusion in gallium arsenide. Solid - St. Electr., 1962, v. 5, p. 127.

31. S h i b a t a A. Solid St. Electr., 1964, v. 5, p. 215.

32. G о 1 d R. D., Weisberg L R Permanent degradation of GaAs tunnel diodes. Solid St. Electr, Pergamon Press, 1964, v. 7, p. 811.